無刷直流電動(dòng)機(jī)功率驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
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(4)上橋臂高壓側(cè)自舉電容的容量取決于被驅(qū)動(dòng)的功率MOSFET管開關(guān)頻率、導(dǎo)通和關(guān)斷占空比以及柵極充電電流的需要。為了防止自舉電容放電后造成其兩端電壓低于欠壓保護(hù)動(dòng)作的門檻電壓值，使得IR2130關(guān)斷，電容取值應(yīng)較大，此功率驅(qū)動(dòng)電路選擇10μF的電解電容。
(5)功率驅(qū)動(dòng)芯片IR2130內(nèi)部的6個(gè)驅(qū)動(dòng)MOS-FET管(RFG40N10)，其輸出阻抗較低，導(dǎo)通輸出電阻rDS(ON)=0．04 Ω，直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET器件可能造成器件MOSFET漏一源極之間的振蕩。
這樣會(huì)引起射頻干擾，也有可能造成器件MOS-FET因承受過高的dv／dt而被擊穿。因此在功率管的柵極與IR2130的輸出之間串聯(lián)一個(gè)阻值為30 Ω的無感電阻。柵源極間的電阻主要提供放電回路，使自舉電容的電壓快速放掉。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/163619.htm
4 結(jié) 語
在此介紹的無刷直流電動(dòng)機(jī)功率驅(qū)動(dòng)電路是采用IR公司的專用驅(qū)動(dòng)芯片IR2130組成的。由于1R2130驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)置了死區(qū)電路，具有過流保護(hù)和欠壓保護(hù)等功能，大大降低了電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜度，簡化了整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，提高了系統(tǒng)的可靠性。
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