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            NAND Flash管理算法的設計及實現(xiàn)

            作者: 時間:2010-11-15 來源:網(wǎng)絡 收藏


            圖4中同時給出了Spare的區(qū)定義,其中兩字節(jié)用于標識本物理塊所對應的母塊;兩字節(jié)用于標識本物理塊對應的邏輯塊;一字節(jié)用于標識本物理頁對應的邏輯頁,一字節(jié)用于標識連續(xù)邏輯頁數(shù)(表示上面連續(xù)邏輯頁的個數(shù),此域可以輔助加快建立頁映射表的時間),余下的10字節(jié)用于存放ECC,這樣可以達到4字節(jié)錯誤的糾錯能力。一般情況下,前面的4個字節(jié)是建立塊地址映射表的關鍵,其次,后面兩個字節(jié)則是建立頁地址映射表的關鍵。
            2.4 頁映射表建立時間的優(yōu)化
            因為建立頁映射表需要讀取母塊和子塊中各物理頁spare區(qū)以判定該物理頁對應的邏輯頁,而每個物理頁的讀取都要花費大約50μs的時間。因此,如果對每個物理頁都讀取,建立頁映射表就會比較費時。為了加快建立頁映射表的速度,一般只希望能讀取一個物理頁,而免于讀取其他若干頁,以便加快建表速度。因為很多時候都是連續(xù)寫,而連續(xù)的幾個物理頁在邏輯上也是連續(xù)的,因此可以考慮在spare區(qū)加入連續(xù)邏輯頁號,這樣,重新建表時,就可根據(jù)連續(xù)頁號知道連續(xù)幾個物理頁對應的邏輯頁,從而加快建表的速度。對于最佳情形,有時只需要讀一個頁就可以建立整個邏輯塊的頁映射表。圖5所示是一種加快建表的示意圖。


            2.5 分區(qū)
            不同的flash,塊數(shù)是不同的,其塊映射表需要的RAM空間也不一樣。對于當前主流flash,有的具有8192個塊,如果對整個flash建表,需要的RAM空間將多達32KB,這樣芯片成本就會比較高。一個可行的解決辦法是對flash分區(qū),比如1024個塊為一個分區(qū),每次只對一個分區(qū)進行建表,這樣,RAM空間就可以降低到4KB。這樣,隨著將來flash容量的增加,塊數(shù)即使再多,也能夠用同樣的方法處理,而不用增大RAM。

            3 結束語
            本文介紹了一種針對MLC flash的優(yōu)異及軟件方法,并且已在SD卡上大規(guī)模商用。該只需簡單配置就能支持市場上的各種flash,而且也兼容各種SD設備。同時RAM空間需求小,成本低,壽命長,兼容性好,擴展性強,flash空間利用率高,具有很高的商用價值。


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