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            霍爾元件原理介紹及其應(yīng)用

            作者: 時(shí)間:2012-01-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/161175.htm

            圖4 定電壓驅(qū)動(dòng)之二

            圖5 定電流驅(qū)動(dòng)之一

            圖6 定電流驅(qū)動(dòng)之二

            圖7 傳感器不平衡調(diào)整方法

            在一個(gè)結(jié)晶片中形成有組件及放大并控制其輸出電壓的電路而具有磁場(chǎng) ─ 電氣變換機(jī)能的固態(tài)組件稱為集成電路。
            外觀構(gòu)造
            如圖2-19 所示,具有與樹脂封閉型晶體管、集成電路等相同的構(gòu)造,即多半呈現(xiàn)在大小5mm 見方、厚3mm 以下的角形或長(zhǎng)方形板狀組件上附設(shè)四根導(dǎo)線的構(gòu)造。導(dǎo)線系由金屬薄片所形成,各個(gè)金屬薄片上均附有半導(dǎo)體結(jié)晶片(通常為硅芯片),而在結(jié)晶體中利用集成電路技術(shù)形成有霍爾組件及信號(hào)處理電路。為防止整個(gè)組件性能的劣化,通常利用樹脂加以封閉,另外為了使磁場(chǎng)的施加容易起見,其厚度也盡量減薄。


            圖8 霍爾集成電路的構(gòu)造

            作用
            磁場(chǎng)強(qiáng)度可利用形成在結(jié)晶片的一部份的霍爾組件變換成電氣信號(hào)(參照前述霍爾組件的作用)。結(jié)晶通常使用半導(dǎo)體硅,霍爾組件的磁場(chǎng)靈敏度為10~20mV/K.Oe。此信號(hào)經(jīng)形成在同一結(jié)晶中的信號(hào)處理電路放大后,作為適合所定目的的信號(hào)電壓被取出。通常四根導(dǎo)線中的兩根連接于一方接地的電源,而從剩下的兩根的一根取出正極性的信號(hào)電壓,并從另一根取出負(fù)極性的信號(hào)電壓?;魻柦M件的輸入電阻通常需符合信號(hào)處理電路的電源,以便可利用定電壓使用霍爾組件。此時(shí)組件的輸出電壓不管在N 型或P 型均無大差異。又因輸出電壓與電子或正孔的移動(dòng)度成正比,故溫度特性也應(yīng)該盡量保持一定,這是與單體霍爾組件不同的地方。
            種類:
            依輸出信號(hào)的性質(zhì)加以分類時(shí)如表1所示。如圖9所示,線性型(Linear type)霍爾集成電路可以獲得與磁場(chǎng)強(qiáng)度成正比的輸出電壓。磁場(chǎng)靈敏度雖然可利用電路的放大度加以調(diào)節(jié),但在高靈敏度時(shí),比例范圍會(huì)變窄(雖電源5V 使靈敏度達(dá)到10mV/Oe,但比例范圍在500Oe以下)。

            表1 依輸出電壓分類時(shí)的種類

            (a)線性型 (b)開關(guān)型

            圖9 霍爾集成電路的輸出特性

            開關(guān)型霍爾集成電路可在一定范圍的磁場(chǎng)中獲得ON-OFF的電壓,此開關(guān)型對(duì)磁場(chǎng)的磁滯(Hysteresis)現(xiàn)象,乃是為使開關(guān)動(dòng)作更為霍爾集成電路線性型確實(shí)起見而故意如此設(shè)計(jì)的。
            依照制造方法加以分類時(shí)如表2 所示,但任何一種制造方法雖然均可獲得同樣的特性,在現(xiàn)階段中,雙極性型霍爾集成電路已開始進(jìn)入商品化的階段。

            表2依制造方法分類時(shí)的種類

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