驅(qū)動(dòng)一個(gè)中、小功率永磁直流電機(jī)的傳統(tǒng)方式是采用搭成H橋結(jié)構(gòu)的四支MOSFET或雙極晶體管。例如在圖 1 中，電機(jī)連接在集電極對(duì)C₁、C₂和C₃、C₄之間。由沿對(duì)角方向?qū)ǖ南鄳?yīng)晶體管對(duì)Q₁與Q₃，或Q₂和Q₄控制流經(jīng)電機(jī)的電流，以及其旋轉(zhuǎn)方向的反轉(zhuǎn)。但是，這種方法需要四支晶體管的每一個(gè)都接收自己的控制輸入。根據(jù)電機(jī)的電壓要求，上方兩個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)需要電氣隔離，或用一個(gè)電平移位電路匹配微控制器的輸出電壓極限。

　　本設(shè)計(jì)實(shí)例描述了另一種電路，它只驅(qū)動(dòng) H 橋的兩個(gè)低側(cè)開關(guān)晶體管。在一個(gè)用于雙向電機(jī)控制的標(biāo)準(zhǔn)雙極晶體管 H 橋中，Q₁和Q₄的基極通過電阻器R₃和R₄連接到Q₃和Q₂的集電極（圖2）。輸入V_INA和 V_INB各控制一對(duì)開關(guān)。當(dāng)Q₂導(dǎo)通時(shí)，電阻器R₄和二極管D₆將Q₄基極拉低，使Q₄ 飽和并通過電機(jī)和Q₂拉入電流。同樣，Q₃的導(dǎo)通會(huì)將Q₁拉至飽和，并反向驅(qū)動(dòng)電機(jī)。二極管D₅確保在Q₄導(dǎo)通時(shí)Q₁保持關(guān)斷，而D₆在Q₁導(dǎo)通時(shí)保證Q₄的關(guān)斷。電阻器R₁、R₂、R₇和R₈增加它們相應(yīng)晶體管的開關(guān)速度，而電阻器R₅和R₆將微控制器5V高邏輯電平輸出的基極電流限制在大約15mA~ 20mA。電阻器R₃和R₄設(shè)定Q₁和Q₄的飽和基極電流。它們的值依賴于電機(jī)的供電電壓和Q₁及Q₄的直流電流增益，公式如下：R₃=R₄≤[V_CC-V_BE(ON)(Q₄) - V_F(D6)-V_CE(SAT)(Q₂)]/[(I_MOTOR)/h_FE(MIN)(Q₄)]。為獲得最佳性能，應(yīng)選擇有低集射飽和電壓V_CE(SAT)以及高直流電流增益h_FE的雙極晶體管。目前可以使用的中功率晶體管能夠以最小集電極功耗和要求較少的基極驅(qū)動(dòng)提供這些特性，因此可與MOSFET競爭。

　　一些分立器件可以在圖1的電路中很好地工作，如On Semiconductor的NSS40200LT1G PNP雙極晶體管和NST489AMT1 NPN雙極晶體管。如要實(shí)現(xiàn)一種更緊湊的方法，可以選擇集成的H橋，如Zetex的ZHB6790，它可工作在高達(dá)40V電壓下，集電極額定電流為連續(xù)2A和6A峰值脈沖。在IC集電極電流為100mA時(shí)，其最小電流增益為500，在2A IC時(shí)電流增益可以降至150。最差情況下， Q₂和Q₃ 2A的集電極電流（飽和電壓不大于0.35V）需要的基極電流為 13 mA ~ 20 mA。所幸，很多微控制器的輸出都可以提供或吸收高達(dá) 25 mA 電流，因此可以不依賴電機(jī)的電源電壓，直接驅(qū)動(dòng) H 橋。為進(jìn)一步降低驅(qū)動(dòng)電流，或采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS或TTL IC作驅(qū)動(dòng)源，可以用小信號(hào)晶體管反相器緩沖 Q₂和Q₃的輸入。作為一種選擇，你也可以在 Q₂、Q₃與地之間連接歐姆級(jí)的電阻器。這種方案可以提供與電機(jī)電流成正比的模擬電壓，使微控制器能夠檢測一臺(tái)熄火或過載的電機(jī)。