TMS320F2812三種運(yùn)行方式在SRM控制中的應(yīng)用

作者：時(shí)間：2012-05-09 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)

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1．3 Flash到RAM全搬運(yùn)運(yùn)行
Flash直接運(yùn)行歸根到底就是實(shí)現(xiàn)了一個(gè)函數(shù)從Flash到RAM的搬運(yùn)，而Flash到RAM的全搬運(yùn)運(yùn)行就是將所有初始化段全部搬運(yùn)到RAM的一種運(yùn)行方式。因此，其程序流程也與Flash直接運(yùn)行類(lèi)似，即code_start-> wd_disable-> copy_sections-> c_int00-> main()。與Memory_ copy不一樣的是，copy_sections搬運(yùn)的是由編譯器編譯生成的初始化段(．text、．cinit、．pinit等)，而不是某一個(gè)函數(shù)了。所以，不能把該段放到C語(yǔ)言環(huán)境建立之后，而應(yīng)在屏蔽看門(mén)狗后，否則程序無(wú)法運(yùn)行。而且，搬運(yùn)代碼也只能用匯編語(yǔ)言編寫(xiě)，具體程序在文件DSP28 xx_SectionCopy．a(chǎn)sm中實(shí)現(xiàn)，以．text段的搬運(yùn)為例：

代碼把燒寫(xiě)地址和運(yùn)行地址分別存儲(chǔ)到XAR6和XAR7寄存器后，并將該段大小存入累加器ACC，通過(guò)判斷累加器ACC是否為零來(lái)完成某個(gè)段的復(fù)制。copysections段直接分配到Flash地址空間。而被搬運(yùn)的．text段在CMD文件中的配置則與Flash直接運(yùn)行方式的ramfuncs段的配置類(lèi)似，．text段燒寫(xiě)到Flash空間，復(fù)制到RAM后再運(yùn)行。
另外，DSP281x_CodeStartBranch．a(chǎn)sm中的．ref_c_int00應(yīng)修改為．ref copy_sections，同時(shí)將wd_disable映射到wddisable段，并分配到Flash地址空間。

2 SRM控制 應(yīng)用研究
TM8320F2812的三種運(yùn)行方式下載與運(yùn)行存儲(chǔ)介質(zhì)的不同，使得三種運(yùn)行方式的特點(diǎn)不盡相同，各有利弊，適合于不同情況下SRM控制的程序調(diào)試。
RAM調(diào)試運(yùn)行代碼下載到RAM，并采用H0啟動(dòng)模式，程序直接在RAM上運(yùn)行，運(yùn)行速度快，可以正常地運(yùn)行于150MHz的系統(tǒng)時(shí)鐘下。而且，主機(jī)通過(guò)仿真器與TMS320F2812相連，能夠在線(xiàn)調(diào)試程序，例如啟動(dòng)、停止、單步運(yùn)行、設(shè)置斷點(diǎn)等等。在線(xiàn)調(diào)試功能對(duì)于剛開(kāi)始的代碼編寫(xiě)和修改是非常有用的，但RAM調(diào)試運(yùn)行受限于RAM空間的大小，無(wú)法運(yùn)行很大的程序；同時(shí)，必須使仿真器與主機(jī)相連，否則無(wú)法運(yùn)行程序。RAM掉電代碼消失的特點(diǎn)更是限制了RAM調(diào)試運(yùn)行方式在實(shí)際中的應(yīng)用。因此RAM調(diào)試運(yùn)行適合于初期SRM控制的程序調(diào)試。此時(shí)，SRM控制的母線(xiàn)電壓值不是很高，程序代碼不是很大，同時(shí)可以很方便地觀察一些變量的變化，方便記錄分析。
當(dāng)SRM控制的母線(xiàn)電壓值提升上來(lái)(220 V以上)后，程序越來(lái)越大，設(shè)計(jì)也越趨于完善，不可能一直使用仿真器進(jìn)行調(diào)試，將程序下載到Flash就成為了唯一的選擇。Flash直接運(yùn)行代碼燒寫(xiě)到Flash中，采用Flash啟動(dòng)模式，程序最終在Flash上運(yùn)行。128K的地址空間能夠滿(mǎn)足大程序的運(yùn)行，而且燒寫(xiě)到Flash的代碼掉電后不會(huì)消失，也不需要再連接仿真器，使得TMS320F2812能夠很好完成實(shí)際應(yīng)用。但Flash運(yùn)行速度慢，對(duì)運(yùn)行時(shí)間要求苛刻的程序如直接在Flash上運(yùn)行，往往不能滿(mǎn)足要求，使得SRM工作性能下降。
Flash到RAM全搬運(yùn)運(yùn)行綜合了二者的優(yōu)點(diǎn)，代碼燒寫(xiě)到Flash中，在C語(yǔ)言環(huán)境建立之前先將所有初始化相關(guān)段搬運(yùn)到RAM中再運(yùn)行，既實(shí)現(xiàn)了代碼的掉電不消失，又保證了代碼的全速運(yùn)行。唯一的缺點(diǎn)就是受限于RAM空間的大小，不能運(yùn)行太大的程序，否則可能溢出。
為了簡(jiǎn)單驗(yàn)證3種運(yùn)行方式的不同，本文利用了TMS320F2812的32位CPU定時(shí)器Cputimer0，因?yàn)樵摱〞r(shí)器工作于150 MHz，可以更好地看出各種運(yùn)行方式的不同。Cputimer0產(chǎn)生40 kHz高速中斷，在中斷服務(wù)程序中翻轉(zhuǎn)某GPIO口電平，觀測(cè)其波形，頻率應(yīng)為20kHz。代碼在RAM中運(yùn)行正常，頻率為20 kHz；而在Flash中運(yùn)行要慢一點(diǎn)，為19．97kHz。而且程序越大，這種限制也就越明顯。

3 結(jié)論
本文詳細(xì)地介紹了TMS320F2812的3種運(yùn)行方式的實(shí)現(xiàn)方法，對(duì)它們運(yùn)行的特點(diǎn)進(jìn)行了分析，并作了簡(jiǎn)單的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。3種運(yùn)行方式各有利弊，在實(shí)際SRM控制應(yīng)用中，應(yīng)該充分地理解它們各自的特點(diǎn)，選取最適合的方式更快、更好地完成實(shí)際應(yīng)用。