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            EEPW首頁 > 工控自動化 > 設計應用 > CMOS集成電路瞬態(tài)電流片外電流傳感器電路

            CMOS集成電路瞬態(tài)電流片外電流傳感器電路

            作者: 時間:2012-10-29 來源:網絡 收藏

            2.2 積分單元(CIB)

            為了避免U4工作在飽和區(qū),不使用正反饋回路。根據虛短路和虛斷路原則,積分單元的電壓增益AV2可由式(4)簡單計算。

            根據文獻[1],的理想輸出電壓由下式給出:

            式(5)中R2和C是密勒積分器中的電阻和電容值,R是采樣電阻的值。因此Av1,Av2,R2和C的值決定整個的精度。

            由構成積分電路的條件:電路的時間常數必須要大于或等于10倍于輸入波形的寬度,并且電阻值盡量小些,電容值盡量大些,可以確定R2和C的值,因此本文確定C的值為33 nF。

            3實驗設置和仿真結果

            3.1 實驗設置

            為了驗證上述電路的有效性,在并行加法器電路上進行故障仿真實驗。仿真實驗是在Micro-cap環(huán)境下進行的,有阻開路采用在被測電路的不同位置注入不同阻值的電阻(10 kΩ,500 kΩ和1 000 kΩ)的方法進行模擬。采樣電阻R選用20 Ω的厚膜電阻。

            3.2仿真結果

            3.2.1 實驗電路

            圖3是一階多米諾并行加法器電路,其實現的功能是:Co=C·(A+B)+A·B

            本文采用兩階多米諾并行加法器級聯電路進行測試,通過注入有阻開路故障對電路進行測試,并和無故障電路進行比較。圖4是無故障電路和注入10 kΩ電阻故障電路的VDD端電壓波形比較;圖5是無故障電路和注入不同阻值的有阻開路故障電路中瞬態(tài)積分曲線的比較。

            4仿真結果分析和結論

            從圖4的仿真波形可以看出,注入有阻開路故障電路的VDD端電壓比無故障電路中VDD端電壓減小,因而說明流經采樣電阻的瞬態(tài)也減小。圖5的積分曲線表明,瞬態(tài)電流經放大積分后,電流變化的速度顯著降低,從而使測試方法的測量速度得到有效的降低;并且注入有阻開路故障電路的瞬態(tài)電流得到有效分離,其分離程度足以區(qū)分無故障電路和故障電路;從積分曲線可知,注入電阻達到500 kΩ或1 000 kΩ的時候,可以認為注入點是完全開路。

            仿真結果證明,改進后的電路能夠實現理想的瞬態(tài)電流測試,并且是有效的。如果將積分結果輸出到數字化儀或PC機中進行處理,利用常規(guī)故障分離方法,即可實現開路缺陷的檢測。

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