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            EEPW首頁(yè) > 工控自動(dòng)化 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 基于反饋控制的恒流型電子負(fù)載系統(tǒng)

            基于反饋控制的恒流型電子負(fù)載系統(tǒng)

            作者: 時(shí)間:2013-01-23 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/159542.htm

              2.2 電流系數(shù)β的確定

              也就是霍爾電流傳感器轉(zhuǎn)換系數(shù)的確定。設(shè)計(jì)中用到的電流傳感器為霍爾傳感器,輸入為電流,輸出為電壓,經(jīng)測(cè)試確定霍爾系數(shù)K = 0. 8 V/ A,即當(dāng)傳感器的輸入端電流為1 A時(shí),輸出端的電壓為0.8V.β= K = 0. 8 V/A

              2.3 PI調(diào)節(jié)器靜態(tài)放大系數(shù)KP的確定

              根據(jù)負(fù)閉環(huán)原理有: K =βKP KS = 1 得:KP = 1/ βKS△0. 875V/A.根據(jù)此值,選取調(diào)節(jié)器輸入、輸出電阻值,以滿足RF/RI = KP.

              2.4 各電壓極性的確定和原理簡(jiǎn)述

              各電壓極性一般是由后向前推得, MOS管的電壓UG為正( + ) ,也就要求PI調(diào)節(jié)器的輸出為正( + ) ,又考慮到霍爾電流傳感器的輸出始終為正( + ) ,為了構(gòu)成負(fù)控制,則PI調(diào)節(jié)器的給定電壓應(yīng)為負(fù)( - )。所以PI調(diào)節(jié)器采用負(fù)相輸入,由前一級(jí)的倒相器將由電位器W產(chǎn)生的可調(diào)正電壓變?yōu)榭烧{(diào)的負(fù)電壓,作為恒流設(shè)定值加在調(diào)節(jié)器的輸入極,與由霍爾電流傳感器提供的電流反饋電壓進(jìn)行比較,根據(jù)偏差量和正負(fù)極性由PI調(diào)節(jié)器實(shí)現(xiàn)比例積分調(diào)節(jié),以實(shí)現(xiàn)電流( I O )恒定。改變積分電容的大小,以滿足響應(yīng)快速性和穩(wěn)定性要求。

              3 實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果

              表2是實(shí)驗(yàn)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),從數(shù)據(jù)規(guī)律看, UGD (電位器W)和MOS管漏、源極電流IO成較好的線性關(guān)系。且IO / UGD= 1/ β= 1/ 0. 8= 1. 25.實(shí)驗(yàn)中的調(diào)節(jié)響應(yīng)的快速性和抗擾性能都能調(diào)為最佳。

            實(shí)驗(yàn)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)

              4 幾點(diǎn)說(shuō)明和改進(jìn)措施

             ?。?)由于采用了PI調(diào)節(jié)器, MOS管的死區(qū)不必專門設(shè)計(jì)電路來(lái)消除, MOS管的非線性在閉環(huán)內(nèi)自行消除。

             ?。?)根據(jù)被測(cè)設(shè)備的性質(zhì)(阻性,感性,容性) ,總可以通過(guò)調(diào)節(jié)PI參數(shù),以保證其快速性,穩(wěn)定性和抗擾性要求。

             ?。?)該具有很強(qiáng)的可擴(kuò)展性能??蓪?shí)現(xiàn)數(shù)字給定和調(diào)節(jié)控制。

              (4)對(duì)于要求測(cè)試電流較大時(shí),可以考慮用多只MOS管的并聯(lián)組合來(lái)擴(kuò)大容量,如圖4所示為2只MOS管的并聯(lián)組合,在此情形下,K`S= mKS; K`P = KP/m,m為所并MOS管的個(gè)數(shù)。

            2只MOS管的并聯(lián)組合

             ?。?)當(dāng)擴(kuò)容后,需要考慮增加MOS管驅(qū)動(dòng)電路。

             ?。?)此電路中沒(méi)有耗能元件,所有的功率消耗僅由環(huán)路內(nèi)元件承擔(dān),主要是MOS管自耗。受MOS管自身的功耗性能限制,允許流過(guò)的電流不可能太大,即使采用并聯(lián)電路等擴(kuò)容措施。所以正常使用時(shí)要充分考慮MOS管的散熱。


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