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      現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)的開(kāi)關(guān)量 I/O 模塊的總體方案設(shè)計(jì)

      作者: 時(shí)間:2013-05-27 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/159343.htm

      其中,MMU可以管理虛擬內(nèi)存,高速緩存有獨(dú)立的16KB地址和16KB數(shù)據(jù)高速Cache組成。ARM9 20T有兩個(gè)內(nèi)部協(xié)處理器:CP14和CP15.CP14用于調(diào)試控制,CP15用于存儲(chǔ)系統(tǒng)控制以及測(cè)試控制。它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖4 .2所示:

      S3C2440結(jié)構(gòu)圖

      S3C2440X芯片集成了大量的功能單元,包括:

      (1) 內(nèi)核采用1.2 V供電,存儲(chǔ)器采用3.3V獨(dú)立供電,外部IO采用3.3 V獨(dú)立供電,16KB數(shù)據(jù)Cache,16KB指令Cache,MMU;

      (2) 內(nèi)置外部存儲(chǔ)器控制器(SDRAM控制和芯片選擇邏輯);

      (3) LCD控制器(最高4K色STN和256K彩色TFT),一個(gè)LCD專(zhuān)用DMA;

      (4) 4路帶外部請(qǐng)求線(xiàn)的DMA;

      (5) 三個(gè)通用異步串行端口(IrDA1.0 , 16-Byte TxFIFO , and 16-Byte RxFIFO), 2通道SPI;

      (6) 一個(gè)多主IIC,一個(gè)IIS控制器;

      (7) SD主接口版本1.0和多媒體卡協(xié)議版本2.11兼容;

      (8) 2個(gè)USB Host接口,一個(gè)USB Device(VER1.1)接口;

      (9) 4個(gè)PWM定時(shí)器和一個(gè)內(nèi)部定時(shí)器;

      (10)看門(mén)狗定時(shí)器;

      (11)130個(gè)通用;

      (12)24個(gè)外部中斷;

      (13)電源控制模式:標(biāo)準(zhǔn)、慢速、休眠、掉電;

      (14)8通道10位ADC和觸摸屏接口;

      (15)帶日歷功能的實(shí)時(shí)時(shí)鐘;

      (16)芯片內(nèi)置PLL;

      (17)數(shù)碼相機(jī)接口;

      (18)設(shè)計(jì)用于手持設(shè)備和通用嵌入式系統(tǒng);

      (19)16/32位RISC體系結(jié)構(gòu),使用ARM920TCPU核的強(qiáng)大指令集;

      (20)ARM帶MMU的先進(jìn)的體系結(jié)構(gòu)支持Windows CE、EPOC32、Linux;

      (21)指令緩存(Cache)、數(shù)據(jù)緩存、寫(xiě)緩沖和物理地址TAGRAM,減小了對(duì)主存儲(chǔ)器帶寬和性能的影響;

      (22)ARM920TCPU核支持ARM調(diào)試的體系結(jié)構(gòu);

      (23)內(nèi)部先進(jìn)的位控制器( AMB A2.0 ,AHB/APB)。

      4.3存儲(chǔ)器

      存儲(chǔ)器包含:64M的FLASH和2片32M的SDRAM.

      存儲(chǔ)器:FLASH存儲(chǔ)器是一種在系統(tǒng)可編程器件,存儲(chǔ)的信息在系統(tǒng)掉電后不會(huì)丟失。它具有低功耗、大容量、擦寫(xiě)速度快、可整片或分區(qū)編程(燒寫(xiě))和擦出等特點(diǎn),并且可由內(nèi)部潛入的算法完成對(duì)芯片的操作,因而在各種嵌入式系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。作為一種非易失性存儲(chǔ)器,F(xiàn)LASH在系統(tǒng)中通常用于存放程序代碼、常量表以及一些在系統(tǒng)掉電以后需要保存的用戶(hù)數(shù)據(jù)等。主要的生產(chǎn)廠商為Intel、ATMEL、AMD、SAMSUNG等,他們生產(chǎn)的同型器件一般具有相同的電氣特性和封裝形式,可以通用。常用的FALSH為8位或16位的數(shù)據(jù)寬度,編程電壓為3.3V.本系統(tǒng)中使用的是三星K9F1208的一款Nand flash,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量為64MB,采用塊頁(yè)式存儲(chǔ)管理。8個(gè)引腳充當(dāng)數(shù)據(jù)、地址、命令的復(fù)用端口。如圖4.3所示為S3C2440和K9F1208的連接電路原理圖。

      S3C2440和K9F1208的連接電路原理圖

      與FLASH存儲(chǔ)器相比較,SDRAM不具有掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)的特性,但其存取速度大大高于FLASH存儲(chǔ)器,且具有讀、寫(xiě)屬性。因此,SDRAM在系統(tǒng)中主要用做程序的運(yùn)行空間、數(shù)據(jù)及堆棧區(qū)。當(dāng)系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí),CPU首先從復(fù)位地址0X0處讀取啟動(dòng)代碼,在完成系統(tǒng)的初始化后,程序代碼一般調(diào)入SDRAM中運(yùn)行,以提高系統(tǒng)的運(yùn)行速度;同時(shí),系統(tǒng)及用戶(hù)堆棧、運(yùn)行數(shù)據(jù)也都放在SDRAM中。SDRAM具有單位空間存儲(chǔ)容量大、價(jià)格便宜的優(yōu)點(diǎn),已廣泛應(yīng)用在各種嵌入式系統(tǒng)中。SDRAM的存儲(chǔ)單元可以理解為一個(gè)電容,總是傾向于放電,為避免數(shù)據(jù)丟失,必須定時(shí)刷新(充電)。因此,要在系統(tǒng)中使用SDRAM,就要求微處理器具有刷新控制邏輯,或在系統(tǒng)中另外加入刷新控制邏輯電路。S3C2440微處理器片內(nèi)具有獨(dú)立的SDRAM刷新控制邏輯,可方便地與SDRAM接口相連。目前常用的SDRAM為16位數(shù)據(jù)寬度,工作電壓一般為3.3 V.本系統(tǒng)中使用HY57V561620作為SDRAM,其基本特性為:工作電壓為3.3 V,按4Bank *4M *16 Bit方式組織,單片存儲(chǔ)容量為32 MB,支持自動(dòng)刷新( Auto-Refresh )和自刷新(Self-Refresh )功能,16位數(shù)據(jù)寬度。如圖4.4所示為S3C2440和HY57V561620的連接電路原理圖。


      S3C2440和HY57V561620的連接電路原理圖

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