東芝擴(kuò)充低壓N通道MOSFET陣容
—— 低導(dǎo)通電阻可減少移動(dòng)設(shè)備的傳導(dǎo)損失
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東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布通過(guò)“MOSFET”擴(kuò)充移動(dòng)設(shè)備鋰離子電池和電源管理開(kāi)關(guān)專用保護(hù)電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，可減少設(shè)備的傳導(dǎo)損失。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/158932.htm
主要特性
采用第八代工藝打造，實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻
采用TSON Advance封裝，具有很好的導(dǎo)熱性
高雪崩電阻
主要規(guī)格
評(píng)論