其中：Ge是輻射單元的增益；N是單元數(shù)；η是口徑效率。重估增益為42．2 dB。
由于稀布陣在除副瓣電平和增益的指標上與滿陣的指標接近，為降低成本，擬采用稀布陣方案。設(shè)稀布率為O．7．則稀布陣的增益約為40．7 dB，可滿足增益指標的要求。通過仿真可考察副瓣電平指標是否符合要求。
為了使差波束具有較好的零深，必須保證陣列在四個象限內(nèi)的單元數(shù)相當，如具有象限對稱性的陣面。具體的實現(xiàn)步驟是將第一象限內(nèi)(含坐標軸)的單元按O．7的概率均勻抽取，再映射到其他三個象限及坐標軸上。隨機抽取和映射后得到的單元數(shù)是2 788，如圖3所示。

所加的30 dB圓口徑Taylor權(quán)和Bayliss權(quán)的系數(shù)如圖4所示。輻值均針對各自的最大值進行了歸一化，半徑則針對陣面的半徑進行了歸一化。通過圓口徑Taylor加權(quán)實現(xiàn)和波束的方向圖；通過圓口徑Bayliss加權(quán)結(jié)合不同的單元相位分布，可以分別實現(xiàn)方位面和俯仰面的差波束方向圖。

2 仿真結(jié)果及分析
為了考察稀布對方向圖副瓣和波束寬度的影響，圖5分別比較了稀布陣與滿陣的0°面和波束、90°面和波束、方位差波束和俯仰差波束。