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            EEPW首頁 > 手機(jī)與無線通信 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 用于IEEE 802.11b/g WLAN直接下變頻接收機(jī)的射頻前端設(shè)計(jì)

            用于IEEE 802.11b/g WLAN直接下變頻接收機(jī)的射頻前端設(shè)計(jì)

            作者: 時(shí)間:2009-07-31 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            0 引言

            近年來,無線終端憑借低成本、低功耗和便于組網(wǎng)的優(yōu)越性逐漸成為校園、機(jī)場、醫(yī)院和家庭接人因特網(wǎng)的首選方案,無線接入技術(shù)得到迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。無線收發(fā)模塊的研究已成為一個(gè)重要研究方向。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/157928.htm

            本文介紹了一種應(yīng)用于 802.11b/g無線局域網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)的2.4 GHz ISM單片CMOS。 802.11b是目前市場上主流產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),而 802.11g則是IEEE 802.11系列的核心標(biāo)準(zhǔn)之一,它兼容另外兩個(gè)核心標(biāo)準(zhǔn)IEEE 802.11a和IEEE802.11b,即同時(shí)支持IEEE 802.11a的OFDM(正交頻分復(fù)用)和IEEE 802.11b的CCK(補(bǔ)碼鍵控)編碼的DSS(序列擴(kuò)頻)調(diào)制方式。本文中應(yīng)用于DSS調(diào)制方式。

            1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

            考慮到低成本、低功耗和高集成度,針對IEEE802.11b/g本身寬信道帶寬特性,本文采用結(jié)構(gòu)。隨著電路技術(shù)和工藝的進(jìn)步,所固有的問題得到很大改善。尤其是直流偏移和1/f閃爍噪聲問題,現(xiàn)在都能有效地降低它們的影響。

            表1列出了近期設(shè)計(jì)的性能總結(jié)。

            圖1給出了接收機(jī)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu),包括低噪聲放大器、I/Q下器、去直流耦合電路、基帶線性放大器和信道選擇濾波器。

            DSS標(biāo)準(zhǔn)包含11個(gè)2 MHz帶寬的子信道,總的信道帶寬為22 MHz。如果在保證誤幀率在8×102情況下,要達(dá)到靈敏度為-80 dBm,那么,

            kNF+RSNR=174 dBm-10log(22 MHz)-80 dBm=20.6 dBm

            式中:KNF為噪聲系數(shù);RSNR為信噪比。

            針對需要的FER,假設(shè)RSNR≈10 dB,再考慮到濾波器約2 dB損耗,接收機(jī)的要求低于8.6 dB。

            標(biāo)準(zhǔn)還要求在接收信號-74 dBm時(shí),具有40 dB的鄰近信道抑制能力,鑒于此,接收機(jī)的輸入1 dB壓縮點(diǎn)要達(dá)到至少-30 dBm左右。

            2 電路實(shí)現(xiàn)

            2.1低噪聲放大器

            圖2給出了低噪聲放大器電路具體實(shí)現(xiàn)。電路采用典型的差分Cascode結(jié)構(gòu),增加對片上干擾抑制,減少源極寄生電感影響,另外,還能提高CMRR(共模抑制比)。不過,相對于單端輸入單端輸出,差分結(jié)構(gòu)帶來更大的功耗。

            下面只分析放大器對稱的左半部分,它是一個(gè)窄帶Cascode結(jié)構(gòu)低噪聲放大器,這種結(jié)構(gòu)能得到更好的噪聲性能。Ls和Ld采用片上電感,Lc、Lg由鍵合電感實(shí)現(xiàn)。M1、M3是跨導(dǎo)晶體管,共柵連接的M2、M4提高輸出輸入之間的隔離,并減少M(fèi)1、M3漏極電容Cgd的密勒效應(yīng)。電容Cd、Cout和Ld調(diào)節(jié)輸出匹配并起到與次級電路隔直的作用。

            當(dāng)然,除此之外,在優(yōu)化電路時(shí)還應(yīng)該考慮到電容Cs的影響,但式(1)、式(2)給出了各元件對電路性能的影響趨勢,這點(diǎn)在設(shè)計(jì)電路時(shí)具有指導(dǎo)意義。

            仔細(xì)選擇器件參數(shù),得到0.84 dB的噪聲系數(shù)。從圖3的仿真結(jié)果可看出,電路優(yōu)化結(jié)果使kNF非常接近kNFmin。

            用電感Le代替?zhèn)鹘y(tǒng)的尾電流源提高差分電路的共模抑制比,這樣可以節(jié)省直流電壓裕度。

            下式給出了CMRR(記為RCMRR)的參考公式:

            式中:ZA為差分對管虛地點(diǎn)對地的阻抗。

            電感采用鍵合電感,因?yàn)樗懈逹值和節(jié)省芯片面積的優(yōu)勢。

            仔細(xì)地在功耗與性能之間獲取均衡,實(shí)現(xiàn)的低噪放噪聲系數(shù)為0.84 dB,增益為16 dB,S11-15 dB,直流電壓1.8 V時(shí)電流為7.6 mA。

            2.2 I/Q下變頻器

            圖4給出了I/Q正交下變頻器的一路混頻器?;祛l器的設(shè)計(jì)需要仔細(xì)選擇每一個(gè)參數(shù)來平衡增益、線性度與噪聲之間的矛盾。由于處于接收機(jī)射頻信號最強(qiáng)處,往往混頻器對線性度的要求很高。本文采用Gilbert單元有源雙平衡混頻器,具有較高的各端口之間的隔離度。跨導(dǎo)級晶體管源極直接接地,以提高混頻器的線性度。電路中還采用電流注入技術(shù),以降低混頻器開關(guān)管的低頻噪聲,同時(shí)可以增大跨導(dǎo)級電流,改善線性度。

            Gilbert單元的IIP3可以表示為:

            式中:I和K分別是跨導(dǎo)電路的偏置電流和跨導(dǎo)參數(shù)。

            當(dāng)本振信號是正弦波時(shí),與開關(guān)對管有關(guān)的噪聲為:

            式中:A為本振信號的幅度;ISW為開關(guān)對管的偏置電流。

            分析式(4)和式(5),需要增大跨導(dǎo)差分對管的偏置電流來提高混頻器的線性度,同時(shí)又必須減小開關(guān)對管的偏置電流來降低開關(guān)噪聲,因此,需要采用電流注入技術(shù)來解決二者之間的矛盾。

            2.3 交流耦合

            直流偏移的解決是直接下變頻結(jié)構(gòu)的難點(diǎn)之一。這里可以采用一個(gè)去直流的高通濾波器,該濾波器具有很低的拐角頻率。

            圖5描述了文獻(xiàn)[2]的研究結(jié)果關(guān)于高通濾波器的拐角頻率對傳輸數(shù)據(jù)恢復(fù)的影響。


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