D類MOSFT在發(fā)射機射頻功放中的應(yīng)用
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圖7所示為IRFP360的外型及表示符號。它的特點，一是具有隔離式的中心裝配孔，并有重復(fù)性的雪崩定額；二是漏源之間并聯(lián)有反向二極管，其電壓變化率定額很大而且驅(qū)動電路比較簡單，此外，同型號的管子并聯(lián)也很容易。然而，由于MOS管的柵極輸人阻抗較高，容易產(chǎn)生較高的感應(yīng)電壓，從而導(dǎo)致柵極易擊穿，所以在維護中應(yīng)特別注意。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/157734.htm
一般情況下，應(yīng)將MOS管存放在防靜電包裝袋內(nèi)，或在各極短路的情況下保存。同時對存放庫房應(yīng)注意除塵，保持庫房的清潔。在取用和安裝過程中，應(yīng)帶好防靜電手鐲。更換管子時，應(yīng)將新管的源極(S)接地，并使用防靜電烙鐵或焊接時拔掉烙鐵的電源插頭，并快速焊接。
4 結(jié)束語
利用MOS管的開關(guān)特性可使射頻功率放大器工作于D類開關(guān)狀態(tài)，以便提高整機效率、改善技術(shù)指標。希望通過本文的分析，為MOSFET的使用維護帶來一些啟迪。
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