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            EEPW首頁 > 手機(jī)與無線通信 > 設(shè)計應(yīng)用 > 功率LDM0 S中的場極板設(shè)計

            功率LDM0 S中的場極板設(shè)計

            作者: 時間:2010-07-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            由于2、4、5區(qū)中縱向電場和橫向電場相比可忽略,可近似認(rèn)為

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/157312.htm



            其他各區(qū)的對應(yīng)的耗盡層厚度可由得到,而由[2]可定義



            根據(jù)漂移區(qū)表面電場和電勢的連續(xù)性可得出邊界條件

            將上式在x方向微分,解得

            式中Ui(i=1,2,3,4)的值可由Ei(Li,0)=Ei+1(Li,0)解得。

            2 結(jié)果和分析


            上圖是在器件關(guān)態(tài)條件下漂移區(qū)表面電勢和電場分布的理論值。采用的數(shù)據(jù)如下:

            從圖中可以看出,LDMOS處于關(guān)態(tài)時根據(jù)理論模型計算得到的結(jié)果和Medici仿真結(jié)果的比較。由于本文的模型忽略了氧化層固定電荷,所以和Medici仿真結(jié)果有差異較小。由圖可見,漂移區(qū)的電場峰值出現(xiàn)在p阱/n-漂移區(qū)結(jié)處、場板的兩端與漏端附近。這些電場峰值處也就是最可能的擊穿點。



            關(guān)鍵詞: 設(shè)計 LDM0 功率

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