安森美半導(dǎo)體推出18款優(yōu)化直流－直流轉(zhuǎn)換并降低臨界電流水平功耗的新型功率MOSFET器件。這些功率MOSFET適用于計(jì)算應(yīng)用中的CPU/GPU供電，直流－直流轉(zhuǎn)換及高低端開(kāi)關(guān)，如臺(tái)式機(jī)、筆記本電腦和服務(wù)器中。 

　　這些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是單個(gè)N-溝道MOSFET提供較低RDS(on)以盡量降低功耗。器件的門(mén)極電荷和門(mén)極電荷比也小，降低導(dǎo)電和開(kāi)關(guān)損耗，使電源效率更高。 


　　器件 　　  

　　其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封裝，而每10,000片的批量預(yù)算單價(jià)在0.40至0.87美元之間。 　　  

      器件                                  VDS      ID           Rdson @ 10 V     Qg (典型) 

NTD4804N             30 V       117 A          4 mΩ            30 nC 
NTD4805N             30 V       88 A            5 mΩ            20.5 nC 
NTD4806N             30 V       76 A            6 mΩ            15 nC 
NTD4808N             30 V       63 A            8 mΩ            11.3 nC 
NTD4809N             30 V       58 A            9 mΩ            10.7 nC 
NTD4810N             30 V       54 A            10 mΩ          9 nC 
NTD4813N             30 V       40 A            13 mΩ          6.9 nC 
NTD4815N             30 V       35 A            15 mΩ          6 nC