英飛凌90 nm磁盤驅動讀取通道實現(xiàn)業(yè)內最佳性能，內核設計面向支持6 Gbps硬盤串口標準的片上系統(tǒng)

英飛凌科技股份公司 （FSE/ NYSE: IFX） 日前宣布，該公司展示了一款硬盤讀取IC（集成電路）內核的功能以及超過2.6 Gbps（千兆位每秒）的數(shù)據(jù)率，是業(yè)內90 nm （納米）讀取通道最高的數(shù)據(jù)率，比前一代器件幾乎要快30%。該內核是英飛凌與日立環(huán)球存儲科技有限公司聯(lián)合開發(fā)的第三代讀取通道。它被集成至一個片上系統(tǒng)（SoC）器件，該器件包含控制硬盤的所有必要功能，包括將率先同時支持4.25 Gbps光纖通道和即將推出的6 Gbps SAS （串行連接SCSI）和S-ATA （串行ATA） 標準的PHY （物理層）內核。該片上系統(tǒng)預計在2007年初全面投產(chǎn)。

“這種讀取通道的成功開發(fā)表明日立和英飛凌充分利用它們的創(chuàng)新和設計專長進行全面合作，”日立環(huán)球存儲科技有限公司明尼蘇達州羅徹斯特分部高級主管兼總經(jīng)理Steven Smith說，“英飛凌展示了在硅開發(fā)與集成方面的領袖地位。對于90 nm讀取通道內核的實現(xiàn)，我們感到非常滿意?！?nbsp;

“高通道數(shù)據(jù)率以及低功耗是為企業(yè)市場產(chǎn)品成功開發(fā)經(jīng)濟型硬盤片上系統(tǒng)解決方案的關鍵，”英飛凌科技股份公司ASIC 設計與安全業(yè)務部總經(jīng)理兼副總裁Sandro Cerato表示，“90 nm讀取通道核實現(xiàn)了業(yè)內最佳的數(shù)據(jù)率。這體現(xiàn)了我們在設計驅動應用IC方面的豐富經(jīng)驗，也是我們致力于切實服務市場的證明。”

2.6 Gbps 90 nm內核是2005年推出并開始樣品生產(chǎn)的內核的更高速度版本。該產(chǎn)品是英飛凌全系列讀取通道IP組合的一員，滿足各種HDD細分市場的需求：消費類/超低功率、移動、臺式機和企業(yè)等。不同的讀取通道內核版本源于共同的架構，是通過針對各個細分市場的特定目標參數(shù)進行定制設計實現(xiàn)的。  

到2006年底，英飛凌預期將銷售3000多萬枚基于當前讀取通道技術的S-ATA片上系統(tǒng)器件。英飛凌S-ATA片上系統(tǒng)解決方案的性能和成本競爭力，加上該公司的ASIC設計與制造專長，為硬盤制造商帶來了增值。這些硬盤制造商通常在訂單到量產(chǎn)時間和大批量生產(chǎn)支持方面有著苛刻的要求。

英飛凌ASIC 設計與安全業(yè)務部的所有90 nm片上系統(tǒng)產(chǎn)品可以在世界范圍內的多個制造廠生產(chǎn)，從而可以保證供應的持續(xù)性，并為客戶提供靈活的供應鏈以及擴大量產(chǎn)的機會。目前，支持英飛凌90 nm 工藝的晶圓廠包括英飛凌德國德累斯頓工廠和臺灣聯(lián)華電子公司。

根據(jù)Gartner Dataquest公司2005年8月的研究報告，硬盤市場預期將從2005年的33億美元增長到2009年的45億美元，實現(xiàn)增長近30%。除了豐富的讀取通道IP組合， 英飛凌在安全IC領域也是公認的領袖，是微軟 FlexGo™“即用即付”充值計算的開發(fā)合作伙伴。這一切將英飛凌置于一個獨特的地位——全面支持硬盤市場向需要更高安全性和創(chuàng)新功能的全新應用演進。