增強(qiáng)型ClearNAND閃存

　　圖4所示為增強(qiáng)型ClearNAND閃存的架構(gòu)。它支持1個(gè)ONFI 2.2接口和速度高達(dá)200MT/s的指令、地址和數(shù)據(jù)總線。VDDI去耦電容常見(jiàn)于e?MMC產(chǎn)品和內(nèi)含控制器的其它閃存，用于對(duì)內(nèi)部穩(wěn)壓器進(jìn)行去耦。為向后兼容傳統(tǒng)NAND閃存，VDDI連接放置在一個(gè)閑置引腳上。ClearNAND控制器支持兩條內(nèi)部閃存總線，其中一條用于連接偶數(shù)編號(hào)的邏輯單元(LUN)，另一條則連接奇數(shù)編號(hào)的邏輯單元。這兩條獨(dú)立閃存總線的速度高達(dá)200MT/s。此外，每條總線都配有各自的ECC引擎，可在兩條總線上同時(shí)管理讀操作或?qū)懖僮??？梢灶A(yù)見(jiàn)，未來(lái)的控制器還將支持面向400MT/s的ONFI 3接口規(guī)范。

　　下面將討論增強(qiáng)型ClearNAND提供的四項(xiàng)高級(jí)功能：卷尋址、電子數(shù)據(jù)映像、中斷功能和內(nèi)部回寫(xiě)(copyback)。

　　卷尋址

　　卷尋址允許一個(gè)片選或芯片啟動(dòng)信號(hào)(CE#)對(duì)16個(gè)ClearNAND卷進(jìn)行尋址。每個(gè) ClearNAND控制器支持在一個(gè)MCP封裝內(nèi)堆疊8個(gè)裸片。ClearNAND控制器為主處理器或SSD控制器存取操作提供一個(gè)緩沖區(qū)。

　　如圖5所示，增強(qiáng)型ClearNAND設(shè)計(jì)將存儲(chǔ)容量擴(kuò)大八倍，同時(shí)保持或提升了信號(hào)完整性，并減少了所需的有效芯片使能數(shù)量。這是因?yàn)閷?duì)于SSD控制器，一個(gè)ClearNAND控制器僅代表一個(gè)負(fù)載，但是在一個(gè)MCP封裝內(nèi)最多可支持八個(gè)NAND裸片。