基于3G手機(jī)的RF屏蔽設(shè)計(jì)
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第二個(gè)關(guān)注的地方是微帶線附近的場線，在靠近地平面的地方它們最強(qiáng)。只要屏蔽和地平面間的距離明顯大于微帶線和地平面間的距離，則增加的屏蔽的效用就微乎其微。線綁定和表貼電感與地平面的直接耦合要弱些，當(dāng)施加屏蔽時(shí)，預(yù)期其場線會(huì)有變化。圖3顯示的是3D模擬的E場分布。
圖3顯示的是不帶屏蔽的輸出匹配的電磁模擬，其電場以伏/米表征。深紅色意味著強(qiáng)場線，而深藍(lán)色表示電場實(shí)質(zhì)不存在。如所預(yù)料，表貼電感和綁定線附近的場線不那么穩(wěn)固，所以，若在包注模上增加屏蔽則更可能對(duì)其產(chǎn)生影響。下一步是勾畫并檢測雙口S參數(shù)模擬在帶和不帶屏蔽條件下相對(duì)于高階諧波的任何變化。
輸出匹配的3D EM模擬(圖4)揭示出在更高頻率下共振的改變。在TxM內(nèi)，電路遠(yuǎn)比簡單的輸出匹配復(fù)雜。另外，如在模擬中看到的，為規(guī)避高階諧波所實(shí)現(xiàn)的高Q槽路所受到的影響將明顯大于給單一共振帶來的簡單變化。
評(píng)論