松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司（Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.）與瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）日前宣布，兩家公司已開(kāi)始對(duì)45nm SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）半導(dǎo)體制造技術(shù)進(jìn)行全面整合1 測(cè)試。該工藝技術(shù)是業(yè)界第一次利用1.0以上的數(shù)值孔徑（NA）和ArF（氬氟化物）浸入式微影系統(tǒng)2進(jìn)行的全面整合。兩家公司于2005年10月開(kāi)始實(shí)施45nm結(jié)點(diǎn)工藝開(kāi)發(fā)項(xiàng)目，且早在1998年就在上一代工藝開(kāi)發(fā)方面進(jìn)行了合作。

預(yù)期目前的聯(lián)合開(kāi)發(fā)項(xiàng)目將在2007年6月完成，開(kāi)始投入量產(chǎn)的時(shí)間是2008財(cái)年。新的45nm工藝將用來(lái)制造松下和瑞薩用于先進(jìn)移動(dòng)產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級(jí)芯片。除了先進(jìn)級(jí)的ArF浸入式光刻外，兩家公司還計(jì)劃在開(kāi)發(fā)項(xiàng)目中采用其他新技術(shù)，包括引入應(yīng)力的高遷移率晶體管3和ELK（K = 2.4）多層布線(xiàn)模塊4。

兩家公司首次合作開(kāi)發(fā)下一代SoC技術(shù)是在1998年，還是在瑞薩科技成立之前。這個(gè)新項(xiàng)目是雙方從2005年10月開(kāi)始合作的第五階段的一部分。給人留下深刻印象的記錄包括，2001年完成的130nm DRAM融合工藝、2002年的90nm SoC工藝，以及2004年的90nm DRAM融合工藝和2005年的65nm SoC工藝結(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)項(xiàng)目。

未來(lái)，松下與瑞薩將繼續(xù)高效合作開(kāi)發(fā)先進(jìn)技術(shù)，利用雙方積累的技術(shù)和建立在信任基礎(chǔ)上的緊密合作關(guān)系，充分利用開(kāi)發(fā)資源和分享技術(shù)信息。