由于使用了完全絕緣的藍寶石基底，與笨重的CMOS和SOI技術相比，UltraCMOS場效應晶體管(FET)的一個主要優(yōu)勢是可以疊在一起來處理高強度的RF功率。因而，它有能力處理+40dBm以上的功率，而且在處理高強度RF功率的同時不降低Q值或調諧比。

　　該技術有潛力開發(fā)出滿足眾多應用系統(tǒng)和工作條件要求的DuNE DTC。目前已設計出電容范圍為0.5pF到10pF、調諧比為3:1到6:1、分辨率為5位(32級)的DTC(見圖6)。這些DTC可在1到2GHz 范圍內把Q值設定為40到80 (見圖7)。除了在50Ω可處理>+38dBm的功率和開關速度優(yōu)于5秒之外(見圖8)，這些新型DTC的功耗約為100μA(低于一些替代調諧技術的幅度)。

　　圖6：實測結果表明，5位DuNE DTC器件具有良好的線性調諧特性，電容范圍為1.15到3.4pF(調諧比為3:1)。

　　圖7：DuNE DTC器件的品質因數(shù)實測結果，在900MHz時其Q值為60-70。

　　圖8： 當輸入功率高達+40dBm時，三次諧波幅度低于-36dBm，滿足GSM規(guī)范。

　　基于成熟的設計模塊和每周數(shù)百萬出貨量的工藝技術，DuNE技術可極大地擴展手機設計人員的選擇空間。DTC的所有參數(shù)(電容值、調諧比、品質因數(shù)、功率處理能力)都可通過電路設計而不是材料工程來改變，從而大大加快了新型專用設計的開發(fā)進程。面向蜂窩電話和移動電視應用的DuNE DTC已經(jīng)在試產(chǎn)階段，計劃在2009-2010年開始量產(chǎn)。這項先進的技術創(chuàng)新可以把完整的自適應天線調諧系統(tǒng)集成到單片中，進而極大地提高了新型手機設計的天線性能。