東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品。這些產(chǎn)品使用最新的第八代低電壓溝槽結(jié)構(gòu)，并實(shí)現(xiàn)了頂尖低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能。即日開始批量生產(chǎn)。

　　主要特性

　　使用第八代低電壓溝槽結(jié)構(gòu)，并實(shí)現(xiàn)了頂尖低導(dǎo)通電阻

　　實(shí)現(xiàn)了低內(nèi)部柵極電阻和低柵極容量比(Cgd/Cgs)，這有助于防止自動(dòng)開通現(xiàn)象。

　　主要規(guī)格