NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)
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2．3 NorFLASH的接口設(shè)計(jì)
系統(tǒng)用的NorFLASH芯片是Atmel公司開(kāi)發(fā)的AT49BV1614A，存儲(chǔ)空間為16 MB，在系統(tǒng)中常用于存放代碼，系統(tǒng)上電或復(fù)位后獲得指令開(kāi)始執(zhí)行，因此，應(yīng)將其配置到Bank0，將AT49BV1614A的片選端nCE接至 S3C2410的nGCS0；AT49BVl614A的輸出使能端nOE接S3C2410的nOE；寫使能端nWE接S3C2410的nWBE0；將模式選擇nBYTE上拉，使AT49BV1614A工作在 16 位數(shù)據(jù)模式。AT49BV1614A地址總線A[19～0]和S3C2410的地址總線ADDR[20 ～1相連，16位數(shù)據(jù)總線DQ[15～0]和S3C2410的低16位數(shù)據(jù)總線DATA[15~0]相連。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/152373.htm
2. 4 NorFLASH在系統(tǒng)中的具體操作
以AT49BV1614A芯片時(shí)序圖為例，具體說(shuō)明NorFLASH的寫操作，如圖2所示。
CLE信號(hào)有效時(shí)系統(tǒng)通過(guò)I／O口向命令寄存器發(fā)送命令00H，此時(shí)WE為低電平，寫操作有效，NandFLASH處于寫狀態(tài)。發(fā)送命令后，接著發(fā)送要讀的地址，該操作將占用WE的1，2，3，4四個(gè)周期，發(fā)送地址信息時(shí)，CLE為低電平，ALE為高電平。地址信息發(fā)送完畢后，不能立刻讀取數(shù)據(jù)，因?yàn)榇藭r(shí)芯片正處于BUSY(忙)狀態(tài)，需要等待2～20 ms，之后，才能開(kāi)始數(shù)據(jù)讀取。此時(shí)WE為高電平，處于無(wú)效狀態(tài)，CE片選信號(hào)也始終為低以表明選中該芯片。
評(píng)論