LDO線性調節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲器中的應用
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圖4表明TPS79918為P30存儲器模塊供電的簡易。唯一的必要元件是LDO本身和它的輸出電容。輸入電容只有在3.0V的輸出電容并不是挨著LDO的時候才會用到。降噪電容只有為噪聲敏感元件供電的時候才需要，因此，在這種產品中不需要降噪電容。
從表1中可以看到，英特爾為它的StrataFlash嵌入式存儲器(P30)特別了推薦TI LDO。這些LDO滿足新的P30存儲器的電氣和溫度需求。
結論
TI TPS79918 LDO與英特爾的下一代StrataFlash嵌入式存儲器(P30)很相配。三種封裝方式可以使設計者最好的確定其大小，而且LDO的電氣特性滿足系統(tǒng)需求，即低備份電流、瞬態(tài)響應、最大電流.
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