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            基于DSP的風(fēng)力發(fā)電逆變電源的研究

            作者: 時間:2011-04-02 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

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            主電路的工作原理如下:
            (1)假設(shè)Q1,Q4先導(dǎo)通,則吸收電路中C3,C6上的電壓為逆變器的輸入端電壓Ud,方向為上正下負(fù);由于Q1,Q4導(dǎo)通時管壓降近似為零,故二極管D5,D8上的電壓也為逆變器的輸入端電壓Ud,但方向為上負(fù)下正。Q2,Q3上的電壓為逆變器的輸入端電壓Ud,方向為上正下負(fù),二極管D6,D7上的電壓為零。
            (2)當(dāng)Q1,Q4關(guān)斷時,由于直流母線分布電感的存在,使得IGBT在關(guān)斷過程中產(chǎn)生很大的尖峰電壓;當(dāng)Q1,Q4上的電壓超過Ud時,尖峰電壓會分別通過C3,R3和C6,R2放電,尖峰電壓全部耗在電阻上,待吸收電路放電結(jié)束后,Q1,Q4完全關(guān)斷。此時,Q2,Q3還沒開通,Q1~Q4上的電壓為Ud/2。此時C3,C4,C5,C6上的電壓為Ud,方向為上正下負(fù),二極管D5~D8上的電壓為Ud/2,方向為上負(fù)下正。
            (3)當(dāng)Q1,Q4關(guān)斷后,若仍未開通Q2,Q3,則電流會經(jīng)Q2和Q3的集電極與發(fā)射極并聯(lián)的二極管續(xù)流,Q1,Q4上的電壓為Ud;Q2,Q3上的電壓為零。C3~C6上的電壓為Ud,方向為上正下負(fù);二極管D5,D6上的電壓為零;二極管D6,D7上的電壓為Ud,方向為上負(fù)下正。
            (4)二極管續(xù)流直到電流減小為零時,可開通Q2,Q3,吸收電路中各處電壓不變。

            3 控制電路的設(shè)計
            3.1 主控芯片選擇
            該設(shè)計采用PWM波部分、死區(qū)部分、電壓有效值外環(huán)及電容電流瞬時值最內(nèi)環(huán)實現(xiàn)全數(shù)字化。電壓瞬時值內(nèi)環(huán)及電容電流瞬時值最內(nèi)環(huán)要求對實現(xiàn)實時控制。并且本文所用的開關(guān)頻率較高,所以對的主頻要求也較高,并且要求具有方便快捷的事件管理模塊,于是本文選用TI公司的TMS320LF2407A DSP處理器作為主控芯片。TMS320LF2407A有以下特點;改進(jìn)的哈佛結(jié)構(gòu);靈活的指令系統(tǒng);高速運算能力;大容量存儲能力;有效的性價比。主要的應(yīng)用領(lǐng)域包括:工業(yè)電機驅(qū)動、、功率轉(zhuǎn)換器和控制器、汽車系統(tǒng)、儀表和壓縮機電機控制、機器人和計算機數(shù)字控制機械。
            TMS320LF2407A具有2個事件管理器,32位中央算數(shù)邏輯單元,32位累加器,16位×16位乘法器,3個比例移位器,間接尋址用的8個16 b輔助寄存器和輔助算數(shù)單元,4級流水線操作,8級硬件操作,6個可屏蔽中斷,544 word的片內(nèi)DARAM和2 KB的片內(nèi)SARAM,32 KB的片內(nèi)FLASH程序存儲器,64 KB程序存儲空間,35.5 KB的數(shù)據(jù)存儲空間;I/O空間64 KB。此外,還有功能強大的外設(shè)、串行通信接口SCI、串行外圍皆空SPI、CAN總線控制器、事件管理器EV和A/D轉(zhuǎn)換器、看門狗WDT。
            3.2 驅(qū)動電路
            對于IGBT來說,只要驅(qū)動電路在柵極和發(fā)射極間提供正偏電壓,IGBT就會導(dǎo)通。當(dāng)+VGE增加時,開通時間和通態(tài)壓降減小,這有利于減小通態(tài)損耗和開通損耗,但并不意味著+VGE越大越好。
            當(dāng)負(fù)載短路時,短路電流將隨著+VGE的增大而增大,并使IGBT承受短路電流的時間變短,因此+VGE的取值要適當(dāng),通常推薦使用+15 V。為了保證IGBT承受短路電流的時間變短,也為了保證IGBT在C,E間出現(xiàn)dv/dt噪聲時能可靠關(guān)斷,必須在柵極與發(fā)射極關(guān)斷時施加一個負(fù)偏壓-VGE。采用負(fù)偏壓還可以減小關(guān)斷損耗。負(fù)偏壓-VGE一般取-5 V左右為宜。另外,為了使IGBT工作在理想狀態(tài)下,選擇合適的驅(qū)動電路尤為重要。



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