flash接口電路的實現(xiàn)
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0引言
我們在進行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的過程中，根據(jù)需求，要設(shè)計出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)，而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計包含硬件系統(tǒng)設(shè)計和軟件系統(tǒng)設(shè)計兩個部分，并且這兩部分設(shè)計是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的，嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計經(jīng)常需要在硬件和軟件設(shè)計之間進行權(quán)衡與折中。因此，這就要求嵌入式系統(tǒng)設(shè)計者具有較深厚的硬件和軟件基礎(chǔ)，并具有熟練應(yīng)用的能力。在整個設(shè)計過程中，硬件設(shè)計是系統(tǒng)設(shè)計的基礎(chǔ)和核心，而各功能部件在整個設(shè)計中的調(diào)試又是該環(huán)節(jié)的重點和難點。本文詳細介紹嵌入式系統(tǒng)Flash存儲器的接口電路的調(diào)試。
1 Flash存儲器接口電路的引腳信號及各項特性
1.1 Flash存儲器接口電路的特點
Flash存儲器是一種可在系統(tǒng)（In-System）中進行電擦寫，掉電后信息不會丟失的存儲器。它具有低功耗、大容量、擦寫速度快、可整片或分扇區(qū)在系統(tǒng)編程（燒寫）、擦除等特點，并且可由內(nèi)部嵌入算法完成對芯片的操作，因而在各種嵌入式系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。作為一種非易失性存儲器，F(xiàn)lash在系統(tǒng)中通常用于存放程序代碼、常量表以及一些在系統(tǒng)掉電后需要保存的用戶數(shù)據(jù)等。常用的Flash為8位或16位數(shù)據(jù)寬度，編程電壓為單3.3V。主要有ATMEL、AMD、HYUNDAI等生產(chǎn)廠商，他們生產(chǎn)的同型器件一般具有相同的電氣特性和封裝形式，可通用。
1.2以HY57V641620為例的SDRAM接口電路的基本特性
本文以Flash存儲器HY29LV160為例，簡要描述一下Flash存儲器的基本特性：
HY29LV160的單片存儲容量為16M位（2M字節(jié)），工作電壓為2.7V～3.6V，采用48腳TSOP封裝或48腳FBGA封裝，16位數(shù)據(jù)寬度，可以以8位（字節(jié)模式）或16位（字模式）數(shù)據(jù)寬度的方式工作。
HY29LV160僅需單3V電壓即可完成在系統(tǒng)的編程與擦除操作，通過對其內(nèi)部的命令寄存器寫入標準的命令序列，可對Flash進行編程（燒寫）、整片擦除、按扇區(qū)擦除以及其它操作。
HY29LV160的邏輯框圖、引腳分布及信號描述分別如圖1和表1所示：
圖1 HY29LV160引腳分布（TSOP48封裝）
表1 HY29LV160的引腳信號描述
引 腳 | 類型 | 描 述 |
A[19:0] | I | 地址總線。在字節(jié)模式下，DQ[15]/A[-1]用作21位字節(jié)地址的最低位。 |
DQ[15]/A[-1] DQ[14:0] | I/O 三態(tài) | 數(shù)據(jù)總線。在讀寫操作時提供8位或16位數(shù)據(jù)的寬度。在字節(jié)模式下，DQ[15]/A[-1]用作21位字節(jié)地址的最低位，而DQ[14:8]處于高阻狀態(tài)。 |
BYTE# | I | 模式選擇。低電平選擇字節(jié)模式，高電平選擇字模式 |
CE# | I | 片選信號，低電平有效。在對HY29LV160進行讀寫操作時，該引腳必須為低電平，當為高電平時，芯片處于高阻旁路狀態(tài) |
OE# | I | 輸出使能低電平有效輸出使能，低電平有效。在讀操作時有效，寫操作時無效。 |
WE# | I | 低電平有效寫使能，低電平有效。在對HY29LV160進行編程和擦除操作時，控制相應(yīng)的寫命令。 |
RESET# | I | 硬件復(fù)位，低電平有效。對HY29LV160進行硬件復(fù)位。當復(fù)位時，HY29LV160立即終止正在進行的操作。 |
RY/BY# | O | 用就緒/忙狀態(tài)指示。用于指示寫或擦除操作是否完成。當HY29LV160正在進行編程或擦除操作時，該引腳位低電平，操作完成時為高電平，此時可讀取內(nèi)部的數(shù)據(jù)。 |
VCC | -- | 3.3V電源 |
VSS | -- | 接地 |
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