現場可編程門陣列的供電原理介紹
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當一個邏輯器件從邏輯1切換到邏輯0時，或者從邏輯0切換到邏輯1時，包括電源的輸出結構暫時變?yōu)榈妥杩範顟B(tài)。每次轉換均要求對信號線進行充電或放電，這就需要能量。旁路電容的功能是在本地儲存能量，以提供轉換所需的能量。
本地儲存能量必須在較寬的頻率范圍內可用。低串聯電感的非常小的電容用來為高頻轉換提供快速電流。高頻電容能量耗盡之后，較大、較慢的電容繼續(xù)提供電流。FPGA技術要求三種頻率范圍內的電容，即高、中、低頻率范圍。這些頻率的跨度為1kHz至500MHz。
正確放置對于高頻電容（1nF至100nF低電感陶瓷片式電容）非常重要；對于中頻電容（10μF至100μF鉭電容或陶瓷電容）和低頻電容(>470μF)，這種重要性依次降低。之所以與放置有關，原因很簡單：從電容引腳到FPGA電源引腳的路徑電感必須盡可能低。這意味著該路徑必須盡可能短，哪怕要穿過實體接地層或電源層。1英寸實心銅層的電感約為1nH，因此距離極為重要。旁路電容過孔必須直接下行至接地層或VCC層。
高頻旁路電容，無論是在VCCINT還是VCCIO上，均應安裝在相關VCC引腳的1厘米范圍內；中頻旁路電容則應安裝在VCC引腳的3厘米范圍內。低頻旁路電容可以安裝在合理范圍內的電路板上任意位置。當然，離FPGA越近越好。
較新的FPGA有輸入/輸出旁路要求，因此以前用于低速或低密度設計的電容類型可能無效。根據所用材料、結構和值的不同，旁路電容在整個頻率范圍內有不同的串聯電抗。通過查看各種系列的數據手冊，可以得知某些電容更適合當前所考慮的應用。
圖3中顯示了電容阻抗隨頻率的變化曲線。阻抗最小值位于電容的自諧振頻率；超過此頻率后，寄生引線電感在“電容”的電抗特性中占據主導地位。圖中，業(yè)界標準型X7R單芯片、10nF陶瓷1206片式電容在50MHz時的阻抗為0.2Ω。然而，在500MHz時，該電容的阻抗約為3Ω。當有效阻抗增大，負載無法使用電容所儲存的能量時，電容即無效。同時還必須考慮溫度范圍和老化效應。一些電容在室溫時阻抗較低，但在極端溫度時則表現不佳。當電容值較大（100nF至330nF）時，Z5U電容在高頻時的ESR可能較低。不過，這種電容不宜在10℃以下使用。作為+20%、–80%額定器件，這種電容要求幾乎兩倍的設計值才能安全使用。選擇旁路電容系列時，最好查看電容制造商的數據手冊。
FPGA電源設計可能會涉及5A、10A甚至更高的電流在PCB走線中流動。當這種大電流存在并以開關模式（邊沿陡峭）隨時間變化時，顯而易見，噪聲、感應電壓和電磁輻射(EMI)很可能出現，并可能導致電源工作異常。與配線電感相關的快速開關電流也可能會產生電壓瞬變，并導致其它問題。為使電感和接地環(huán)路最小，傳導高電流的PCB走線應盡可能短。應采用接地層結構或單點接地，使外部元件盡可能靠近DC/DC轉換器，以實現最佳效果。使用開口鐵芯電感時，必須特別注意這種電感的位置和定位，避免電感通量與敏感的反饋接地路徑和COUT配線相交。使用具有可調輸出的開關穩(wěn)壓器或控制器時，應將反饋電阻和相關配線置于IC附近，并遠離電感布置配線，尤其是開口鐵芯式電感。鐵氧體繞軸或鐵棒電感具有從繞軸一端經空氣到達另一端的磁力線。這些磁力線會在電感磁場范圍內的所有導線或PC板銅走線中產生感應電壓。銅走線中產生的電壓量由以下因素決定：磁場強度、PC銅走線相對于磁場的方向和位置，以及銅走線與電感之間的距離。
FPGA和穩(wěn)壓器的可靠性取決于散熱問題。這些器件的溫度主要受待機功耗和總功耗、外部容性負載（僅FPGA）、熱阻、環(huán)境溫度以及氣流等因素控制。必須有效管理這些因素，使結溫(Tj)始終低于制造商規(guī)定的最高溫度。
ADP2114同步降壓開關穩(wěn)壓器ADP2114,pdf datasheet (Synchronous Step-Down DC-to-DC Regulator)
ADP2114（圖4）是一款功能多樣的同步降壓開關穩(wěn)壓器，可滿足各種客戶負載點要求。兩個PWM通道既可以配置為分別提供2A和2A（或3A/1A）電流的兩路獨立輸出，也可以配置為提供4A電流的單路交錯式輸出。ADP2114可提供高功效，開關頻率最高可達2MHz。在輕負載時，該器件可以設置為脈沖跳躍模式工作，以便提高功效，或者設置為強制PWM模式工作，以便降低電磁干擾(EMI)。ADP2114還具有欠壓閉鎖(UVLO)、遲滯、軟啟動和電源正常輸出指示等特性；保護特性有輸出短路保護和熱關斷等?？梢岳脴O小電阻和電容對輸出電壓、電流限制、開關頻率、脈沖跳躍工作模式和軟啟動時間進行外部編程。
圖3 電容阻抗隨頻率的變化曲線
圖4 ADP2114同步降壓開關穩(wěn)壓器
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