模擬信號處理及功率管理解決方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors近日推出新一代溝道MOSFET，為 D類音頻輸出提供所需的大功率、最佳散熱效果和優(yōu)質(zhì)音頻復(fù)制功能。

這些N溝道和P溝道器件的額定電壓為70V，設(shè)有SOT223和DPAK封裝，能夠保證平板電視、5.1環(huán)繞聲系統(tǒng)等大功率音頻應(yīng)用安全而可靠的運(yùn)行。這些器件適用于采用互補(bǔ)或全N溝道MOSFET配置的單端及橋接式負(fù)載輸出。

與60V器件相比，ZXMN/P7系列MOSFET具有更高的漏源極電壓，可為設(shè)計(jì)人員提供額外裕量，可適應(yīng)電源及柵極振鈴的大幅度變化。這些器件的導(dǎo)通電阻非常低，在10V電壓下，N溝道和P溝道器件的典型導(dǎo)通電阻分別130 mΩ和160 mΩ，因此具有低損耗的特點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的運(yùn)行和理想的散熱效果。

該MOSFET將低導(dǎo)通電阻與快速切換及低柵電荷特性相結(jié)合，有助于優(yōu)化輸出效率。在設(shè)計(jì)完備的電路中，可以實(shí)現(xiàn)90%以上的效率。這些N溝道和P溝道的器件在10V運(yùn)行條件下的關(guān)斷時(shí)間和柵極漏極電荷分別為17ns/1.8nC及35ns/3.6nC。
 
此外，新的MOSFET能妥善處理高漏極電流，可以為單獨(dú)的場效應(yīng)管運(yùn)行提供最大功率。由于該器件對柵極驅(qū)動(dòng)的要求較低，因此在更高負(fù)載功率的應(yīng)用中，可以采用平行設(shè)置的場效應(yīng)管。N溝道器件采用SOT223和DPAK封裝，其最大漏極電流分別為3.8和6.1安培，而P溝道器件的分別為3.7和5.7安培。