基于DSP開發(fā)系統(tǒng)設(shè)計與實現(xiàn)
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TPS767D301的輸出端1OUT的電壓由式(1)確定：
Vo=Vref(1+R1／R2) (1)
式中：Vref=1．183 4 V為電壓調(diào)整器的內(nèi)部參考電壓；R1和R2的取值應(yīng)保證驅(qū)動電流近似為50μA。如果電阻過小，會使電流過大，消耗電力；如果電阻過大，F(xiàn)B引腳會出現(xiàn)電流脈沖尖峰，會使輸出電壓波動。典型電壓輸出時，R1和R2的取值如表1所示。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/149182.htm
為了提高輸出電壓的穩(wěn)定性，模擬電源與數(shù)字電源之間通過鐵氧體磁珠和電容進(jìn)行濾波，鐵氧體磁珠具有可以忽略的寄生電容，電氣特性和一般的電感相似，這樣可以減少來自模擬電源或其他并聯(lián)電路所產(chǎn)生的噪聲生干擾。
2 系統(tǒng)RAM擴(kuò)展
在TMS320F28335的片上已經(jīng)集成了34 K×16 b的RAM，且內(nèi)部RAM的訪問速度可達(dá)150 MIPS，通常用于放置系統(tǒng)對運(yùn)算速度要求較高的程序。F28335的片上還集成了256 K×16 b的FLASH，但由于FLASH燒寫次數(shù)有限，而且燒寫速度慢，操作麻煩。使用外擴(kuò)RAM后，仿真時程序可以放入外擴(kuò)RAM中運(yùn)行，程序長度不受限制，這樣程序的設(shè)計和調(diào)試就非常方便。在調(diào)試完成后通過修改．cmd文件等方法將程序燒進(jìn)FLASH中運(yùn)行。同時，外擴(kuò)RAM還可以開放給其他任務(wù)。外擴(kuò)RAM選用ISSI公司的IS61LV25616，存儲容量為256 K×16 b，3．3 V的供電電壓。使用區(qū)間6作為外擴(kuò)存儲區(qū)間，存儲地址范圍為0x100000～0x13FFFF。由于IS61LV25616的訪問速度有8 ns，10 ns，12 ns，15 ns可選擇，而當(dāng)CPU運(yùn)行在150 MHz時，地址和數(shù)據(jù)的最小有效時間為3個時鐘周期，即20 ns，所以不用考慮時序問題。存儲器的地址線和數(shù)據(jù)線分別對應(yīng)DSP的地址線和數(shù)據(jù)線，片選端CS和DSP的GPIO28連接，存儲器的讀／寫端口分和DSP的讀／寫端口連接，具體電路圖如2所示。
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