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            大功率LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與仿真

            ——
            作者:賀景霞 時(shí)間:2013-07-24 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              在本課題中帶隙基準(zhǔn)源、誤差放大器、比較器等模塊都用到了。為了滿足這些模塊的要求,設(shè)計(jì)為工作電壓為5V,工作溫度范圍為-40~80℃,增益大于90dB,輸出擺幅大于1.5V,相位裕度為60?。通過對(duì)上述條件進(jìn)行分析,可以選擇折疊式共源共柵電路和一個(gè)簡單放大器級(jí)聯(lián)的二級(jí)運(yùn)放結(jié)構(gòu)來設(shè)計(jì)所需的電路。這樣可以在較高的增益下,保證其他參數(shù)的實(shí)現(xiàn)。由于兩級(jí)運(yùn)放往往會(huì)產(chǎn)生兩個(gè)低頻極點(diǎn),所以采用米勒補(bǔ)償來做頻率補(bǔ)償[2]。電路圖如圖3所示。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/147859.htm

              完成的基本電路設(shè)計(jì)之后,下面就得考慮共源共柵管和電流鏡的柵端偏置電壓從何來,即偏置電路。偏置電路可以保證所有MOS管在整個(gè)工作范圍內(nèi),工作于飽和區(qū),不會(huì)出現(xiàn)線性失真。本設(shè)計(jì)中采用電壓偏置方法,偏置電路如圖4所示。

              經(jīng)過調(diào)整各MOS管的寬長比,經(jīng)過多次仿真優(yōu)化,得到的結(jié)果為增益達(dá)到95.5dB,單位增益帶寬約為36.5MHz,相位裕度為63?,基本滿足設(shè)計(jì)要求。仿真結(jié)果如圖5所示。

              帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

              電壓基準(zhǔn)是模擬電路設(shè)計(jì)中不可缺少的一個(gè)單元模塊,它為系統(tǒng)提供直流參考電壓,這個(gè)電壓的要求必須是具有確定溫度特性,并且與電源和工藝無關(guān)。在大多數(shù)應(yīng)用中,所要求的溫度關(guān)系采取下面三種形式中的一種[3]

              (1)與絕對(duì)溫度成正比(PTAT);

              (2)常數(shù)(Gm)特性,也就是,一些晶體管的跨導(dǎo)保持常數(shù);

              (3)與溫度無關(guān)。

              在芯片內(nèi)部產(chǎn)生基準(zhǔn)電源的方法很多,可用有源分壓器,電阻器件分壓帶隙基準(zhǔn)電壓等方法實(shí)現(xiàn)。其中帶隙基準(zhǔn)是公認(rèn)的電壓性能和溫度性能最好的基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生方法。下面我們就對(duì)帶隙基準(zhǔn)電壓源的基本原理進(jìn)行研究,并且設(shè)計(jì)出一個(gè)滿足芯片需求的帶隙基準(zhǔn)電壓源。

              帶隙電壓源的基本原理是將兩個(gè)擁有相反溫度系數(shù)的電壓以合適的權(quán)重相加,最終獲得具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓[4]。

              正溫度系數(shù)電壓的獲?。喝绻麅蓚€(gè)同樣的晶體管偏置的集電極電流分別為nI0和I0,并且忽略它們的基極電流,電路如圖6所示。

              圖7給出了一個(gè)常用的帶隙基準(zhǔn)電壓源的電路圖。

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