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      納米復(fù)合材料使薄膜電子元件取得進(jìn)展

      作者: 時(shí)間:2013-07-18 來源:慧聰電子網(wǎng) 收藏

        佐治亞技術(shù)學(xué)院的有機(jī)光電研究人員演示了一種技術(shù),即采用納米加工方法實(shí)現(xiàn)高性能的薄膜電容介電材料,其有可能被用于晶體管。這種碳酸鋇材料一直被認(rèn)為具有很高的介電常數(shù),但當(dāng)這種材料懸浮在聚合物中就會(huì)有凝結(jié)成塊的趨勢(shì),從而制造出大量晶粒,顯示出極低的擊穿電壓。

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/147610.htm

        佐治亞技術(shù)學(xué)院的小組由JosephPerry教授率領(lǐng),嘗試用納米封裝解決凝結(jié)問題,在聚合物點(diǎn)陣中建立一個(gè)均勻分布的碳酸鋇。為實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo),Perry的小組求助于由SethMarder帶領(lǐng)的第二個(gè)小組,以合成一種設(shè)計(jì)者的磷酸配件,它既可以牢固地結(jié)合到碳酸鋇上,亦能形成一個(gè)與常用薄膜聚合物兼容的膠囊。得到的膠囊直徑范圍從30nm~120nm,比研究人員使用常規(guī)方法制造出的微粒要小四倍。較小的膠囊微粒已證明對(duì)主聚合物有親和性,實(shí)現(xiàn)了均勻分布,因此得到的薄膜電容是以前電容單元面積的兩倍。Perry認(rèn)為它進(jìn)一步的應(yīng)用是薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電介質(zhì)。

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