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            聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

            作者: 時間:2013-07-01 來源:cnbeta 收藏

              在Synopsys 的協(xié)助下,臺灣(UMC)首款基于制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。公司早前曾宣布明年下半年有意啟動制程FinFET產(chǎn)品的制造,而這次這款測試芯片完成流片設(shè)計則顯然向?qū)崿F(xiàn)這一目標(biāo)又邁進(jìn)了一步,當(dāng)然流片完成之后還需要對過程工藝等等項目進(jìn)行完善和改進(jìn),還有大量工作要做。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/146954.htm

              

             

              近年來,在臺積電,Globalfoundries,三星等老牌代工商的沖擊下,在代工行業(yè)的排名一再下跌,更何況Intel也開始染指代工市場。在之前一輪的28nm HKMG制程技術(shù)競賽中,聯(lián)電便落在了臺積電的后面,所幸聯(lián)電后來與IBM技術(shù)發(fā)展聯(lián)盟達(dá)成了協(xié)議,要共同開發(fā)14/10nm級別FinFET制程技術(shù)。

              當(dāng)然,要把虛的電路設(shè)計高效快速地轉(zhuǎn)換成實的可制造性好的實際電路布局,還離不開EDA軟件的幫忙,這次聯(lián)電的流片設(shè)計就是在Synopsys 的DesignWare和StarRC兩款EDA軟件的幫助下實現(xiàn)的。



            關(guān)鍵詞: 聯(lián)電 14nm

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