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            NAND閃存閃現(xiàn)光芒,今年?duì)I業(yè)收入有望大增

            —— 在手機(jī)、游戲及存儲(chǔ)等領(lǐng)域的使用增加 是其強(qiáng)勁增長(zhǎng)的關(guān)鍵
            作者:RyanChien 時(shí)間:2013-06-21 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              據(jù)公司的閃存市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào),由于在手機(jī)、游戲控制臺(tái)和混合存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大,閃存市場(chǎng)今年有望實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng)。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/146671.htm

              預(yù)計(jì)今年營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到231億美元,比去年的202億美元?jiǎng)旁?4%。2013年將有三個(gè)季度的營(yíng)業(yè)收入高于56億美元,只有第二季度是55億美元。

              相比之下,2012年只有兩個(gè)季度超過(guò)50億美元大關(guān),最高的第四季度達(dá)到了56億美元。

              這意味著2012年?duì)I業(yè)收入最高的季度今年將被超過(guò)三次,如圖1所示。今年上半年已經(jīng)比2012年同期高出15%。

              圖1:全球營(yíng)業(yè)收入預(yù)測(cè) (以10億美元計(jì))  

             

              隨著移動(dòng)設(shè)備在計(jì)算與消費(fèi)電子等領(lǐng)域的影響日增,NAND應(yīng)用范圍繼續(xù)擴(kuò)大。衡量主流NAND芯片密度的 NAND指數(shù)目前是945,為2011年9月以來(lái)的最高水平,顯示最近幾個(gè)月價(jià)格走強(qiáng)。最近NAND平均銷(xiāo)售價(jià)格上漲,是比特出貨量增長(zhǎng)保守和消費(fèi)需求穩(wěn)健的結(jié)果。公司認(rèn)為,這些變化正在給NAND市場(chǎng)帶來(lái)機(jī)會(huì),使其前景變得更加光明。

              盡管NAND價(jià)格上漲和流媒體盛行,但閃存在手機(jī)與平板電腦中繼續(xù)占據(jù)主導(dǎo)地位。尤其是,“操作系統(tǒng)”蔓延正在對(duì)智能手機(jī)產(chǎn)生越來(lái)越大的影響,例如安卓4.2與三星Galaxy S4手機(jī)的TouchWiz界面組合,導(dǎo)致其內(nèi)存消耗大于上一款S III機(jī)型。

              新型混合硬盤(pán)(HDD)也明顯在使用更多的閃存。西部數(shù)據(jù)推出的一款這類(lèi)產(chǎn)品包含閃迪提供的24GB NAND緩存,與緩存固態(tài)硬盤(pán)之間的界線(xiàn)日益模糊。緩存固態(tài)硬盤(pán)與硬盤(pán)一起使用,作為另一種存儲(chǔ)形式。

              NAND閃存。例如,雖然索尼與微軟在PlayStation和Xbox中都使用了硬盤(pán),但他們也提供USB存儲(chǔ)選項(xiàng),而且可能提供嵌入式閃存。同時(shí),Roku的串流設(shè)備,Ouya的8GB游戲控制臺(tái),英偉達(dá)的16GB Shield手持游戲系統(tǒng),都將依賴(lài)更多的閃存以及microSD卡提供更多的存儲(chǔ)空間。

              Lytro推廣的所謂的光場(chǎng)照相技術(shù),未來(lái)將是刺激存儲(chǔ)需求的一個(gè)因素。采用這種照相技術(shù),存儲(chǔ)照片所需空間大約是可比JPEG照片的60倍,以便提供優(yōu)異的圖像處理能力。

              總之,NAND在消費(fèi)電子產(chǎn)品中的使用繼續(xù)深入,盡管在某些實(shí)際附加值有限的利基卡領(lǐng)域進(jìn)展不利,比如Wi-Fi連接,或者在PlayStation Vita等索尼游戲格式中遇挫。

              NAND閃存也在著眼于未來(lái),準(zhǔn)備轉(zhuǎn)向3D,以擴(kuò)展其路線(xiàn)圖。

              在固態(tài)硬盤(pán)方面,廠(chǎng)商從明年初開(kāi)始將逐步利用3D多層單元(MLC)閃存來(lái)代替三層單元(TLC)NAND,希望在長(zhǎng)期內(nèi)維持移動(dòng)及計(jì)算平臺(tái)領(lǐng)域的價(jià)格侵蝕軌道。較舊的光刻技術(shù)將用于3D,以節(jié)省投資和折舊費(fèi)用。



            關(guān)鍵詞: IHS NAND

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