德州儀器公司 (TI) 已在標準 CMOS 邏輯工藝中生產(chǎn)出64兆位鐵電存儲器 (FRAM) 芯片，從而將該技術(shù)在各種應(yīng)用領(lǐng)域中確定為嵌入式閃存及嵌入式 DRAM 的經(jīng)濟高效型替代技術(shù)。與處理器、外設(shè)及其它器件一樣，在同一芯片上嵌入內(nèi)存不僅會降低系統(tǒng)芯片數(shù)目及復(fù)雜性，而且還能夠提高系統(tǒng)性能與數(shù)據(jù)的安全性。為了降低制造成本、實現(xiàn)超低功耗，TI 在眾多的嵌入式內(nèi)存中選擇了 FRAM。TI 生產(chǎn)的64兆位 FRAM 器件還擁有迄今為止業(yè)界最小的 FRAM 單元，僅為 0.54um2。
FRAM 所具有的快速訪問時間、低功耗、小單元尺寸及低制造成本等特性使之可用于程序和數(shù)據(jù)的應(yīng)用，從而使它非常適合于無線產(chǎn)品。其它潛在市場應(yīng)用還包括寬帶接入、消費類電子產(chǎn)品及 TI 種類繁多的可編程 DSP。
TI 最初的 FRAM 測試芯片是采用僅需兩個額外掩膜步驟的標準 0.13微米銅線互連工藝制造而成。1.5V 的芯片展示了迄今為止最小的 FRAM 單元，經(jīng)測量僅 0.54um