半導(dǎo)體廠先進制程進度
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半導(dǎo)體廠先進制程布局在28奈米階段被炒熱，主要是受惠通訊晶片對于省電、高效能的要求，使得28奈米需求旺盛。2012年僅臺積電有產(chǎn)能，但仍無法滿足大客戶需求，到2013年初，臺積電28奈米制程的產(chǎn)能已擴增倍數(shù)，目前單月產(chǎn)能約7萬片12寸晶圓。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/142903.htm臺積電28奈米產(chǎn)能開出之際，同業(yè)也積極拉升28奈米良率，以卡位第二供應(yīng)商策略進入戰(zhàn)場，日前GlobalFoundries的良率大幅提升，已搶下高通(Qualcomm)、聯(lián)發(fā)科等訂單。
在28奈米制程以下是20奈米制程，但部分客戶轉(zhuǎn)進意愿不高，因為20奈米制程技術(shù)仍是停留在平面式電晶體的設(shè)計，成本下降速度不及增加的投資金額，因此寧愿暫時以28奈米為主，之后在轉(zhuǎn)進3D架構(gòu)電晶體FinFET技術(shù)。
FinFET技術(shù)最早是英特爾(Intel)在22奈米制程導(dǎo)入，未來14奈米也會延續(xù)，臺積電計劃在16奈米制程導(dǎo)入FinFET技術(shù)、GlobalFoundries在14奈米制程導(dǎo)入、三星電子則預(yù)計從14奈米導(dǎo)入FinFET技術(shù)，聯(lián)電的FinFET技術(shù)從計劃從20奈米切入，會與IBM合作加速其進度。
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