TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導通電阻(RDS(ON)和柵極電荷(QG，QGD)數(shù)值都有所減小，降低了同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中的損耗。過去，降低RDS(ON)通常會以更高的柵極電荷做為折衷。但TrenchFET IV采用一種新的高密度設計，同時實現(xiàn)了優(yōu)化的柵極電荷水平和更低的RDS(ON)。表1比較了TrenchFET IV產(chǎn)品SiRA00DP和采用以前最先進技術的SiR812DP TrenchFET Gen III功率MOSFET。新器件的RDS(ON)和QG分別低30%和39%?！　?/p>本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/142384.htm

 

　　改善導通電阻與柵極電荷乘積(優(yōu)值系數(shù)，F(xiàn)OM)，不僅能夠提高總體的系統(tǒng)效率，還能夠使DC/DC轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)更高的功率密度和更高的開關頻率。為驗證從TrenchFET III到TrenchFET IV在效率上的提高，我們測試了兩個TrenchFET IV，分別是SiRA14DP和SiRA04DP，使用19V的輸入電壓以實現(xiàn)1V的輸出。

　　圖1演示了在同步降壓轉(zhuǎn)換器中使用TrenchFET IV做為“控制FET”的情況，TrenchFET IV的效率比TrenchFET III高0.5%，電流最高達27A?！　?/p>

 

　　圖2顯示了在同步降壓轉(zhuǎn)換器中將TrenchFET IV用作“同步FET”對效率的提高情況。改用TrenchFET IV，能夠在兩個關鍵的地方獲得改善：效率提高1.5%以上，每個MOSFET處理的輸出電流更大。更高的輸出電流處理能力使設計者在能夠減小處理給定電流水平所需的MOSFET的數(shù)量和尺寸。