“TSMC現(xiàn)在已有三座12英寸晶圓廠，下一步會是18英寸廠。從時間上來看，18英寸晶圓真正投入生產(chǎn)應該在2016年之后。”TSMC中國業(yè)務發(fā)展副總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球稱。

 

現(xiàn)在有三家公司（英特爾、TSMC、三星）投資ASML光刻設備的計劃，因為在進入18英寸時會有很多的坎要過，包含設備、光學等。

 

目前看來10納米的光刻工藝基本上只有兩種選擇，一個是EUV深紫外光，一個是Immersion浸潤式光刻技術。Immersion技術是TSMC的研發(fā)人員開始研發(fā)的。事實上，無論是走到EUV，還是Immersion，整個成本支出跟批量生產(chǎn)的能力都還有許多困難要克服。

 

在工藝的發(fā)展上有物理上的極限，大家想把技術做到物理的極限。然而在產(chǎn)業(yè)整體來看, 我們面對的不僅僅是物理的極限，還有經(jīng)濟上的極限和功耗的極限。

 

那么，摩爾定律還能撐多久？實際上，摩爾定律是個比較概念性的說法。目前TSMC的研發(fā)人員已經(jīng)在研究7納米。“摩爾定律有很多坎要走，可能也不會像過去說18個月翻番，他可能會變成20個月、24個月?？墒沁@個概念一直還是往下走。我們看到7納米是可以做到的。”羅鎮(zhèn)球說。

 

不僅在工藝方面，在材料和器件結(jié)構(gòu)方面也在演進。例如TSMC進入28nm時，就開始采用高K-金屬柵極（HKMG）等材料；TSMC進入16nm時，將開始采用FinFET 3D晶體管制造技術。

 

未來進入10nm、7nm時怎么做，怎么進入18英寸？三個大聯(lián)盟成員（TSMC、英特爾和三星）可能各有各的思路。