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      SIP、3D IC和FinFET將并存

      作者:王瑩 時間:2013-02-07 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

        三者未來會并行存在,各有千秋,不會出現(xiàn)誰排擠誰的現(xiàn)象?! ?/p>本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/141901.htm

       

        (Mentor)電子科技有限公司亞太區(qū)技術(shù)總監(jiān)李潤華稱,從系統(tǒng)角度看,(系統(tǒng)封裝)和 IC通過堆疊,可以把更多的芯片堆疊在一起,在某種程度上,以前是蓋一層樓,現(xiàn)在是蓋三層樓,可以提升空間密度。另外, IC可以在同一個設(shè)計上衍生出更多不同的產(chǎn)品,這對于IC設(shè)計企業(yè)是另外一個形成差異化的可選項。例如手機有不同的內(nèi)存版本,16G,32G、64G……,將來芯片也可能通過這種方式去做不同的堆疊,形成差異化。

        目前還比較容易被市場接受。因為SIP的生態(tài)系統(tǒng)比較成熟,需要牽涉的設(shè)計上的調(diào)整也較小。關(guān)于 IC,新的設(shè)計會比較容易去采用,好處是可以把堆疊做到更高的效率,因為可以把芯片和芯片之間的連接做更好的優(yōu)化。FinFET是在一個晶體管上做3D化,好處是空間效率更高,器件可以更小;但是在工藝上實現(xiàn)較難,需要對芯片和晶圓片有較大的技術(shù)突破。



      關(guān)鍵詞: 明導(dǎo) SIP 3D

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