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            840PRO拆解:高頻三核主控+MLC閃存

            作者:鄭兆遠(yuǎn) 時(shí)間:2012-11-27 來(lái)源:中關(guān)村在線 收藏

              ★840PRO拆解:高頻三核主控+MLC閃存

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/139387.htm

              我們對(duì)840PRO 512GB SSD進(jìn)行拆解分析,和較早前測(cè)試的840系SSD采用的TLC閃存完全不同的是,840PRO采用的是使用壽命更長(zhǎng)、速度更快的MLC閃存。

              相同的地方:普及版840系和840PRO采用同樣的主控/緩存芯片、PCB板。其內(nèi)部三大核心部件的改進(jìn)如下:

              1、三核主控:頻率提高和算法改進(jìn)

              2、MLC閃存:帶寬提高2倍以上

              3、高速緩存:低電壓、容量翻倍

              

             

              840PRO 512GB SSD拆解

              

                     

             

              840PRO 512GB SSD的PCB正反面特寫(xiě)

              在三星840PRO 512GB SSD的內(nèi)部PCB主板上,單面即可實(shí)現(xiàn)512GB容量,總計(jì)8顆64GB容量的三星原廠MLC閃存芯片和SATA I/O主控制芯片。并且配備一顆三星512MB DDR2低電壓緩存芯片。

              

             

              三星S4LN021X01-8030 三核ARM主控芯片

              主控方面采用三星研發(fā)生產(chǎn)的S4LN021X01-8030 MDX主控芯片,屬于ARM架構(gòu)的Cortex-R4系列三核處理器,具備更強(qiáng)悍的多任務(wù)、多路數(shù)據(jù)讀寫(xiě)傳輸能力。主要提高在算法設(shè)計(jì)和CPU的頻率,和830系的220MHz MCX三核主控相比,840PRO MDX主控的頻率提高到300MHz。

              

             

              三星840PRO 512GB SSD的閃存芯片特寫(xiě)

              閃存方面采用8顆21nm制造工藝的三星原廠的K9PHGY8U7A-CCK0 MLC閃存芯片,單顆芯片容量為64GB。其閃存采用先進(jìn)的Toggle 2.0 NAND Flash技術(shù),它的帶寬提高到400Mbps,而上一代830系SSD則采用Toggle 1.1技術(shù),閃存帶寬僅133Mbps。

              

             

              三星840PRO 512GB SSD的緩存特寫(xiě)

              緩存方面,它的PCB板正面搭載有一顆容量高達(dá)512MB DDR2低電壓高速緩存芯片,為整個(gè)SSD的讀寫(xiě)提供高速的數(shù)據(jù)緩沖。對(duì)比830系SSD僅256MB的緩存相比,840系SSD的緩存容量提高了一倍。

              我們通過(guò)拆解三星840PRO 512GB SSD,了解到這款SSD從主控、閃存、緩存均由三星生產(chǎn),并且三個(gè)核心部件的規(guī)格均有一定幅度提高。


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