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      EEPW首頁(yè) > 元件/連接器 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)GaN功率器件

      富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)GaN功率器件

      —— 這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)
      作者: 時(shí)間:2012-11-23 來(lái)源:中電網(wǎng) 收藏

        上海,2012年11月20日 –半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 () 的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/139272.htm

        與傳統(tǒng)硅基相比,基于的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率,并使電源單元更加緊湊。半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化,從而可以通過(guò)硅晶圓直徑的增加,來(lái)實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標(biāo),富士通半導(dǎo)體自2009年起就在開(kāi)發(fā)批量生產(chǎn)技術(shù)。此外,富士通半導(dǎo)體自2011年起開(kāi)始向特定電源相關(guān)合作伙伴提供GaN功率器件樣品,并對(duì)之進(jìn)行優(yōu)化,以便應(yīng)用在電源單元中。

        

       

        圖1 氮化鎵功率器件原型

        (TO247 封裝) 圖2 基于6英寸硅晶片的氮化鎵功率器件

        最近,富士通半導(dǎo)體開(kāi)始與富士通研究所 (Fujitsu Laboratories Limited) 合作進(jìn)行技術(shù)開(kāi)發(fā),包括開(kāi)發(fā)工藝技術(shù)來(lái)增加硅基板上的高質(zhì)量GaN晶體數(shù)量;開(kāi)發(fā)器件技術(shù),如優(yōu)化電極的設(shè)計(jì),來(lái)控制開(kāi)關(guān)期間導(dǎo)通電阻的上升;以及設(shè)計(jì)電源單元電路布局來(lái)支持基于GaN的器件的高速開(kāi)關(guān)。這些技術(shù)開(kāi)發(fā)結(jié)果使富士通半導(dǎo)體在使用GaN功率器件的功率因數(shù)校正電路中成功實(shí)現(xiàn)了高于傳統(tǒng)硅器件性能的轉(zhuǎn)換效率。富士通半導(dǎo)體還設(shè)計(jì)了一種具有上述功率因數(shù)校正電路的服務(wù)器電源單元樣品,并成功實(shí)現(xiàn)了2.5kW的輸出功率。

        將該項(xiàng)技術(shù)的開(kāi)發(fā)成功也意味著富士通半導(dǎo)體鋪平了其GaN功率器件用于高壓、大電流應(yīng)用的道路。

        富士通半導(dǎo)體最近在其會(huì)津若松工廠建成了一條6英寸晶圓大規(guī)模生產(chǎn)線(xiàn),并將在2013年下半年開(kāi)始GaN功率器件的滿(mǎn)負(fù)荷生產(chǎn)。今后,通過(guò)提供針對(duì)客戶(hù)應(yīng)用而優(yōu)化的功率器件以及電路設(shè)計(jì)技術(shù)支持,富士通半導(dǎo)體將支持用途廣泛的低損耗、高集成的電源單元的開(kāi)發(fā)。富士通半導(dǎo)體希望其GaN功率器件銷(xiāo)售收入在2015財(cái)年達(dá)到約100億日元。

        富士通半導(dǎo)體將在2012年11月14-16日在太平洋橫濱 (Pacifico Yokohama) 會(huì)展中心舉行的2012嵌入式技術(shù)展 (Embedded Technology 2012) 上展出其GaN功率器件。

        

       

        圖1 富士通半導(dǎo)體的氮化鎵功率器件與傳統(tǒng)硅基功率器件的效率對(duì)比。 圖2 采用富士通半導(dǎo)體的氮化鎵功率器件的服務(wù)器電源單元的輸出功率。

        關(guān)于富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司

        富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司是富士通在中國(guó)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大連、廈門(mén)、西安、青島和武漢等地均設(shè)有分公司,負(fù)責(zé)統(tǒng)籌富士通在中國(guó)半導(dǎo)體的銷(xiāo)售、市場(chǎng)及現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)支持服務(wù)。

        富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司的產(chǎn)品包括專(zhuān)用集成電路(ASIC)、單片機(jī)(MCU)、專(zhuān)用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSP)/片上系統(tǒng)(SoC)和系統(tǒng)存儲(chǔ)芯片,它們是以獨(dú)立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶(hù),并應(yīng)用于廣泛領(lǐng)域。在技術(shù)支持方面,分布于上海、香港及成都的IC設(shè)計(jì)中心和解決方案設(shè)計(jì)中心,通過(guò)與客戶(hù)、設(shè)計(jì)伙伴、研發(fā)資源及其他零部件供應(yīng)商的溝通、協(xié)調(diào),共同開(kāi)發(fā)完整的解決方案,從而形成一個(gè)包括中國(guó)在內(nèi)的完整的亞太地區(qū)設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)及技術(shù)支持網(wǎng)絡(luò)。



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