得克薩斯州奧斯汀2012年9月24日電 /美通社/ -- 納米圖案成形系統(tǒng)與解決方案的市場與技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)商Molecular Imprints, Inc. (MII) 今天宣布，該公司已經(jīng)獲得一份包含多個壓印模板的采購訂單。這些模板將被整合進某半導(dǎo)體設(shè)備公司的光刻機中，包括 MII 專有的最新 Jet and Flash 壓印光刻 (J-FIL) 技術(shù)，這項技術(shù)具備先進半導(dǎo)體存儲設(shè)備大批量生產(chǎn)所需的性能。

　　Molecular Imprints, Inc.獲得一份包含多個壓印模板的采購訂單。這些模板將被整合進某半導(dǎo)體設(shè)備公司的光刻機中，包括MII專有的最新壓印光刻技術(shù)，這項技術(shù)具備先進半導(dǎo)體存儲設(shè)備大批量生產(chǎn)所需的性能。

　　Molecular Imprints 總裁兼首席執(zhí)行官 Mark Melliar-Smith 表示：“這份多模板訂單是我們的客戶為 J-FIL在生產(chǎn)前最后準備階段的使用所投上的信任的一票。我們的設(shè)備和商用面具合作伙伴與內(nèi)部團隊已經(jīng)對開發(fā)活動進行了成功協(xié)調(diào)，并在去年取得了巨大的進步，特別是在減少不合格和降低整體擁有成本 (CoO) 方面有了很大的改善。我們期待著J-FIL 技術(shù)下一步的商業(yè)化進程，希望能為這個半導(dǎo)體存儲器接下來幾年的發(fā)展提供支持。”

　　該公司的 J-FIL™ 技術(shù)已經(jīng)展示了24納米圖案結(jié)構(gòu)，其刻線邊緣粗糙度小于2納米(3西格瑪)，臨界尺寸均勻性為1.2納米(3西格瑪)，可擴展至10納米，使用的是簡單的單一圖案工藝。J-FIL 避免了功率受限的遠紫外線 (EUV) 光源、復(fù)雜的光學(xué)透鏡和鏡面以及利用超靈敏光致抗蝕劑讓圖案成形的難度，這些固有的擁有成本優(yōu)勢使其非常適合用于半導(dǎo)體存儲器的制造。