(注釋1)光電耦合器：
　　在單個(gè)封裝內(nèi)，光電耦合器在輸入端和輸出端分別整合了發(fā)光元件(LED，它可以將電信號(hào)轉(zhuǎn)化成光)和光接收元件(它可以將光轉(zhuǎn)化成電信號(hào))。由于這種光耦合器件能夠以光的形式將信號(hào)從輸入端傳送到輸出端，所以可以為兩端徹底實(shí)現(xiàn)電隔離。

　　(注釋2)外部爬電距離：
　　從高壓側(cè)封裝引腳到用于連接光電耦合器的低壓側(cè)封裝引腳的最短距離，沿著封裝的樹脂外部測量。爬電距離越長，電壓公差越高。

　　(注釋3)強(qiáng)化絕緣
　　比基本絕緣強(qiáng)的絕緣。標(biāo)準(zhǔn)要求其爬電距離為基本絕緣的2倍。

　　(注釋4)基本絕緣：
　　基本絕緣用于防止電擊人。

　　(注釋5)寄生電容：
　　由于物理結(jié)構(gòu)的原因而在芯片內(nèi)意外產(chǎn)生的電容，也稱為浮地電容。

　　定價(jià)和供貨情況

　　現(xiàn)已開始供應(yīng)瑞薩電子新款光電耦合器樣品，單價(jià)為4.0美元。目前已投入批量生產(chǎn)，2012年10月月產(chǎn)量將達(dá)到1,000,000件。(定價(jià)和供貨情況如有變更，恕不另行通知。)

　　新產(chǎn)品的主要技術(shù)規(guī)格

　　瑞薩新款PS9905和PS9924光電耦合器的產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格

　　1. 長爬電距離和空中距離：14.5 mm;隔離距離：0.4 mm
　　2. 高絕緣電壓：7500 Vrms(UL 1577)
　　3. 高工作絕緣電壓：VIORM = 1,600 V(峰值);允許的最高過電壓VIOTM = 12,000 V(峰值)(IEC/EN 60747-5-2)
　　4. 安全標(biāo)準(zhǔn)：UL、VDE和CSA
　　5. 長爬電距離：8引腳SOP(14.5 mm)，適于表面貼裝
　　6. 盤裝產(chǎn)品：PS9905-F3、PS9924-F3：1000件/卷

　　[PS9905光電耦合器的產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格]

　　1. 峰值輸出電流：2.5 A
　　2. 高速開關(guān)：tPLH、tPHL = 150 ns(最大值)
　　3. 低功耗：ICCH、ICCL = 3 mA(最大值)
　　4. 低輸入電流：IFLH = 6 mA(最大值)
　　5. 低功耗：VOH = Vcc - 3 V(最小值)
　　6. 高工作溫度(高達(dá)110℃)
　　7. UVLO(欠壓鎖閉)保護(hù)
　　8. 高共模瞬態(tài)抑制(CMH、CML = ±25 kV/µs(最小值))

　　[PS9924光電耦合器的產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格]

　　1. 高速開關(guān)：tPLH、tPHL = 100 ns(最大值)
　　2. 低輸入電流：IFHL = 5 mA(最大值)
　　3. 低電路電流：ICCH = 3 mA(典型值)，ICCL = 5 mA(典型值)
　　4. 電源電壓：Vcc = 3.3 V、5 V
　　5. 高工作溫度(高達(dá)110℃)
　　6. 高共模瞬態(tài)抑制(CMH、CML = ±15 kV/µs(最小值))