閃存領(lǐng)域的商業(yè)合作關(guān)系


     東京和臺(tái)北，2006年6月1日——瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）與力晶半導(dǎo)體股份有限公司（Powerchip Semiconductor，PSC）今天宣布，兩家公司已簽署一項(xiàng)制造協(xié)議和一項(xiàng)技術(shù)及銷售授權(quán)協(xié)議。兩項(xiàng)協(xié)議均適用于瑞薩的4Gb AG-AND閃存器件。

     新的協(xié)議建立在兩家公司之間在1Gb存儲(chǔ)器件領(lǐng)域的現(xiàn)有合作關(guān)系之上，擴(kuò)展了瑞薩與Powerchip Semiconductor之間的商業(yè)合作范圍。這一進(jìn)展將通過進(jìn)一步增加AND閃存資源為用戶提供更多的便利。

    瑞薩將通過重新調(diào)整戰(zhàn)略焦點(diǎn)產(chǎn)品如系統(tǒng)級(jí)大規(guī)模集成電路（LSI）來加速資源的選擇和集中管理。

    除了其目前的兩條300mm晶圓生產(chǎn)線12A/12B外，BPSC正在將設(shè)備轉(zhuǎn)向其新近采用的Fab 12M晶圓生產(chǎn)線，以便生產(chǎn)出高密度閃存，這也將進(jìn)一步鞏固PSC滿足快速增長的閃存市場(chǎng)的能力。