低功率LED照明趨勢
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有了較大的燈尺寸，就有了相當大的空間來容納LED驅(qū)動器解決方案，并且PF和低THD仍然是強制要求。
設計挑戰(zhàn)
這些LED燈的較高瓦數(shù)會引起更高的Vds，peak(尖峰)通過MOSFET，因而需要BVDss額定值較高的MOSFET。對于高壓尖峰，由于輸入電流較高，BVDss額定值必須降低。圖14顯示了電壓尖峰為匯總的Vds，peak = Vin+nVo+Vos，其中nVo是反射的輸出電壓，也稱為Vro。
通常使用緩沖器來限制Vos峰值電壓，但緩沖器會消耗能量，從而降低了LED驅(qū)動器效率：
飛兆方案
飛兆半導體的解決方案如表2所示，單級反激與2級方法的對比如表3所示。
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