日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部位于日本京都市)開發(fā)出內置絕緣元件的柵極驅動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車(EV)和混合動力車(HEV)逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅動元件。

　　本產(chǎn)品融合了羅姆獨創(chuàng)的BiCDMOS技術與新開發(fā)的片上變壓器工藝技術，作為內置了絕緣元件的柵極驅動器，是業(yè)界最小※的小型封裝，有助于逆變器電路的小型化。另外，與傳統(tǒng)的光耦方式相比，可大幅降低耗電量，而且由于具備了所有必要的保護功能和品質要求，可減少設計時的工作量?！　?/p>

 　　不僅如此，還支持作為新一代功率半導體備受期待的SiC(Silicon carbide：碳化硅)的功率MOSFET的高速開關，非常有助于實現(xiàn)更加高效、更加低功耗的新一代電動汽車。

　　生產(chǎn)基地在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)，預計從2012年6月份開始銷售樣品(樣品價格：1,000日元)，從 2012年9月份開始以月產(chǎn)1萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。

　　※　根據(jù)羅姆的調查(截至2012年5月22日)

　　近年來，隨著EV和HEV的不斷普及，為了進一步提高性能，對動力單元的逆變器電路小型化的要求高漲。一方面，一般每個車載用逆變器內置6個柵極驅動器，為了實現(xiàn)逆變器電路的小型化，柵極驅動器的小型化勢在必行。此外，在車載特有的苛刻的驅動環(huán)境中，為實現(xiàn)確保安全性的逆變器電路，不僅需要各種保護功能，為了防止駕駛員觸電，作為絕緣元件必須配備光耦等外置零件。在這種情況下，對于內置絕緣元件、并且小型的柵極驅動器的需求日益高漲。

　　另一方面，有望內置于新一代EV/HEV的SiC元件用于逆變器電路時，解決其高速開關性能所導致的噪音也已成為重大課題?！　?/p>

 　　此次羅姆采用獨創(chuàng)的微細加工技術，開發(fā)出片上變壓器工藝，進而成功開發(fā)出小型并且內置了絕緣元件的柵極驅動器。無需外置零件，同時通過采用小型封裝，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，安裝面積減少了約50%。不僅如此，由于內置車載逆變器電路所需的全部保護功能，不僅有助于實現(xiàn)逆變器的小型化，還非常有助于減輕設計負擔。