下面，我們給出只針對(duì)一個(gè)200GB邏輯單元號(hào)進(jìn)行ATTO測(cè)試的參考數(shù)據(jù)：

單個(gè)200GB下的測(cè)試結(jié)果

　　我們需要注意的是，當(dāng)Windows RAID還算空閑的時(shí)候，較低的transfer sizes下性能表現(xiàn)緩慢爬升。而且，從以上這兩次ATTO運(yùn)行數(shù)據(jù)來(lái)看，在小于4K的時(shí)候基于日立控制器的寫入性能較差。下面，我們來(lái)看看IOMeter測(cè)試結(jié)果。

不同配置下IOPS值(性能模式)

　　首先，上圖展示的是LSI HBA分別處理SSD IOPS的數(shù)值，我們可以看到隨著更多LUN的增加，讀寫性能呈現(xiàn)出一種線性的增長(zhǎng)趨勢(shì)，IOMeter同時(shí)直接訪問(wèn)這四個(gè)設(shè)備，繞過(guò)了Windows RAID。

　　緊接著，混合工作負(fù)載(同時(shí)讀取和寫入)性能要遜于單獨(dú)讀或?qū)懙男阅?，盡管這是預(yù)期之中的局面，但反差之大有點(diǎn)令人始料不及。

　　最后，你會(huì)發(fā)現(xiàn)上面的寫入測(cè)試數(shù)據(jù)是斜體顯示的，這是剛開始大量使用SSD的時(shí)候的數(shù)據(jù)。為了更好的說(shuō)明這款SSD的性能，下面再對(duì)其進(jìn)行4K隨機(jī)寫入測(cè)試：

隨機(jī)寫入測(cè)試

　　從測(cè)試結(jié)果可以看出，4K隨機(jī)寫入測(cè)出來(lái)的IOPS值遠(yuǎn)超英特爾所標(biāo)稱的75K，而且這是在連續(xù)寫入的情況下得到的數(shù)據(jù)。結(jié)合英特爾的HET-MLC閃存技術(shù)，在擴(kuò)充10倍容量的基礎(chǔ)上還能滿足日常使用長(zhǎng)達(dá)5年時(shí)間之久，可以說(shuō)這款產(chǎn)品非常彪悍。