DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會(huì)急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域，然后再過一年半左右才進(jìn)入桌面。據(jù)悉，Intel的再下代企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX將會(huì)第一個(gè)整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族，面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域，最多擁有16個(gè)核心，四路就是64核心。

　　DDR4內(nèi)存不僅會(huì)帶來頻率的大幅提升(最高可達(dá)4266MHz)，更會(huì)有1.2V低電壓、更好的對(duì)等保護(hù)和錯(cuò)誤恢復(fù)等技術(shù)，這些大規(guī)模用于服務(wù)器和企業(yè)中心自然能看到立竿見影的好處。

　　至于桌面上，22nmHaswell、14nmBroadwell都會(huì)使用相同的LGA1150封裝接口，內(nèi)存控制器自然也都局限于DDR3，DDR4的支持很可能要等到再往后的14nm工藝新架構(gòu)“Skylake”，那就是大約2015年的事情了。

　　這樣的步調(diào)可不算快，之前市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)曾經(jīng)認(rèn)為，DDR4內(nèi)存到2015年就應(yīng)該基本普及了。不過也好，升級(jí)太快了不見得是什么好事兒，大家可以更安心地享受廉價(jià)DDR3了。

　　另外，如果你擔(dān)心Haswell、Broadwell會(huì)因此在內(nèi)存性能上無所作為，倒也大可不必，因?yàn)橐粍tDDR3的頻率肯定會(huì)越來越高，二者這兩代新處理器會(huì)有超低延遲內(nèi)部?jī)?nèi)存控制器總線、刷功能被浮點(diǎn)峰值發(fā)射率、FMA運(yùn)算、四級(jí)緩存等新特性，都有利于帶來更好的內(nèi)存性能。