Ultrabook設備和筆記本等應用的設計人員面臨降低電源設計中電感高度的挑戰(zhàn)，以滿足更薄的低側(cè)高終端系統(tǒng)要求。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS DrMOS系列FDMF6708N，這是經(jīng)全面優(yōu)化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅(qū)動器功率級解決方案，用于大電流、高頻率同步降壓DC-DC應用。FDMF6708N集成了一個驅(qū)動器IC、兩個功率MOSFET和一個自舉肖特基二極管，采用熱性能增強型6x6mm2 PQFN Intel  DrMOS v4.0標準封裝。

　　FDMF6708N可讓設計人員節(jié)省50%的占位面積，同時提供高開關頻率和高功率密度。該器件的過零檢測(ZCD)功能改善了輕負載效率，延長了電池壽命。與傳統(tǒng)分立解決方案不同，F(xiàn)DMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET 技術以及具有更低源極電感的clip-bond封裝，在滿負載下提供高效率。而傳統(tǒng)分立解決方案需要更大的PCB空間、更長的布局走線、更厚的電感，以及更多的元件，因而在使用較薄磁性元件所需的較高頻率下散熱性能不良。

　　FDMF6708N采用PQFN 6x6mm2 封裝，與最接近的競爭產(chǎn)品相比，該器件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%，在滿負載條件下(30A)效率改善6%。該器件適用于要求開關頻率在600KHz – 1.0MHz，輸入電壓甚至達到20V的應用。可讓設計人員使用更小、更薄的電感和電容，減小解決方案的尺寸，同時滿足熱性能要求。FDMF6708N器件能夠幫助設計人員應對設計挑戰(zhàn)，設計出更酷、更薄且具有更高能效的Ultrabook產(chǎn)品。