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            Diodes MOSFET使電源供應器超越“能源之星”效率目標

            作者: 時間:2012-03-08 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              公司推出ZXGD3105N8同步,讓反激式電源設計師能以替換低效率的肖特基整流器,作為理想驅(qū)動二極管。同時,ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗,以及逾87%的滿載效率。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/129976.htm

              該具備少于1mA的靜態(tài)電流,并能以低至4.5V的電源電壓運作,遠勝于其他競爭對手的解決方案。此外,該還能提供超越“能源之星”待機評級標準的反激式電源。

              ZXGD3105N8以SO8封裝供應,可用于工業(yè)及消費性產(chǎn)品中的交流-直流與直流-直流內(nèi)部及外部的電源供應器。同時,該控制器還能在高達500kHz的開關(guān)頻率下運作,有助減小變壓器的體積,從而實現(xiàn)更纖細的外形設計。

              該控制器作為比例式閘極驅(qū)動器運作,可防止不必要的MOSFET關(guān)閉,并使MOSFET關(guān)閉傳播延遲降低至15ns,從而減少反向電流,有助最大幅度地提升電源電路效率。



            關(guān)鍵詞: Diodes 控制器 MOSFET

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