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            TD-LTE基站規(guī)模將超20萬(wàn) 明年國(guó)內(nèi)試商用

            —— TD-LTE全球發(fā)展倡議(GTI)公布了三年規(guī)模部署計(jì)劃
            作者: 時(shí)間:2012-02-29 來(lái)源:通信產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 收藏

              三年全球建50萬(wàn)基站 終端成國(guó)際化關(guān)鍵

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/129682.htm

              在發(fā)展過(guò)程中,國(guó)際化一直是中國(guó)移動(dòng)發(fā)展的主要目標(biāo)與方向。為推動(dòng)的發(fā)展,2011年2月,中國(guó)移動(dòng)聯(lián)合歐洲Vodafone、印度Bharti、日本軟銀、美國(guó)Clearwire等運(yùn)營(yíng)商共同發(fā)起了全球發(fā)展倡議(GTI),截至目前,成員數(shù)已達(dá)到40家。在網(wǎng)絡(luò)發(fā)展方面,最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,截至目前,全球已建成33個(gè)TD-LTE實(shí)驗(yàn)網(wǎng),同時(shí),至少有3家運(yùn)營(yíng)商推出了商用服務(wù)。

              進(jìn)一步擴(kuò)大TD-LTE網(wǎng)絡(luò)規(guī)模已成為中國(guó)移動(dòng)及GTI共同的心愿。據(jù)了解,在本次GTI峰會(huì)上,GTI與主要終端芯片廠商聯(lián)合發(fā)布TD-LTE三年規(guī)模部署計(jì)劃,到2014年建設(shè)超過(guò)50萬(wàn)個(gè)基站,覆蓋超過(guò)20億人口,并推出適合全球漫游的全球終端等。

              隨著TD-LTE國(guó)際化日程提速,中國(guó)移動(dòng)也逐步意識(shí)到終端發(fā)展的重要性。李躍指出,在TD-LTE發(fā)展上,中國(guó)移動(dòng)將滿(mǎn)足LTE客戶(hù)全球漫游、LTE和融合服務(wù)、移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)和WLAN融合服務(wù)三方面的需求。通過(guò)多網(wǎng)融合組網(wǎng),滿(mǎn)足用戶(hù)一個(gè)終端的使用需求。

              “中國(guó)移動(dòng)將聯(lián)合國(guó)際運(yùn)營(yíng)商發(fā)布LTE融合終端的發(fā)展需求,重點(diǎn)發(fā)展雙模多頻LTE終端發(fā)展,促進(jìn)TD-LTE和FDD-LTE的規(guī)?;l(fā)展,不斷推動(dòng)TD-LTE產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴(kuò)大。”李躍說(shuō)。

              實(shí)際上,從TD-LTE早期發(fā)展至今,中國(guó)移動(dòng)就一直對(duì)終端給予足夠的重視。2010年6月與10月,工信部電信研究院分別對(duì)2.Hz與2.6GHz TD-LTE芯片進(jìn)行了相關(guān)測(cè)試,包括終端芯片本身的功能、射頻、性能,以及室內(nèi)UUIOT(終端芯片與系統(tǒng)設(shè)備互操作測(cè)試)和外場(chǎng)測(cè)試。2011年8月,LTE FDD/TDD R8版本單模終端設(shè)備技術(shù)要求完成立項(xiàng),項(xiàng)目周期一年。此外,TD-LTE第二階段主要針對(duì)基于PPR9標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)設(shè)備和包含TD-SCDMA在內(nèi)的多模終端開(kāi)展測(cè)試。

              目前,已有多家廠商推出了TD-LTE多模終端產(chǎn)品。深圳大運(yùn)會(huì)期間,中興通訊聯(lián)合中國(guó)移動(dòng)研發(fā)的全球首款TD-LTE/TD-SCDMA/GSM多模雙待智能終端樣機(jī),同時(shí),華為、中興推出的TD-LTE多模數(shù)據(jù)卡也已在海外商用。

              據(jù)了解,在2012世界移動(dòng)通信大會(huì)期間,GTI展示了成立一年以來(lái)的發(fā)展成果、約35款各類(lèi)TD-LTE最新終端和創(chuàng)新業(yè)務(wù)應(yīng)用,以及多款TD-LTE/LTE FDD/3G/2G多模芯片。


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