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    EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 新品快遞 > 瑞薩開發(fā)出低損耗碳化硅(SiC)功率器件

    瑞薩開發(fā)出低損耗碳化硅(SiC)功率器件

    —— 有助于空調(diào)、通信基站和太陽(yáng)能陣列等大功率電子系統(tǒng)提高電源效率
    作者: 時(shí)間:2012-02-08 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

      (注1)(SiC):這種材料在熱導(dǎo)率、允許的工作溫度、輻射暴露及絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)等特性上優(yōu)于硅,具有用于低損耗功率器件的巨大潛力。

    本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/128665.htm

      (注2)反向恢復(fù)時(shí)間:當(dāng)二極管在規(guī)定的正向電流已流過(guò)后從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換至關(guān)閉狀態(tài),由于在結(jié)中積累了少量載流子,因而將存在反向電流。反向恢復(fù)時(shí)間表示在切換至關(guān)閉狀態(tài)后恢復(fù)到規(guī)定電流值所需的時(shí)間。

      【附件】

      RJS6005TDPP SiC SBD的產(chǎn)品規(guī)格

      1. RJS6005TDPP的規(guī)格

    • 反向峰值電壓(VRM):600 V
    • 平均整流電流(Io):15 A
    • 正向壓降(VF):1.5 V
    • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):標(biāo)準(zhǔn)15 ns(ID = 10 A,VGSS = 10 V)
    • 額定通道溫度(Tch):+150 ℃
    • 封裝:TO-220,全封

      2. 參考圖:正向電壓的溫度依賴性

             


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