美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石
—— 有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)
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美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/127116.htm美光計劃使用特殊設(shè)計的主從DRAM芯片(die)，其中只有主die才與外界內(nèi)存控制器發(fā)生聯(lián)系，從die只是輔助芯片，同時還會用上優(yōu)化的DRAM die、每堆棧單個DLL、減少主動邏輯電路、共享的單個外部I/O、改進時序、降低外部負(fù)載等等，最終目的是一方面改善內(nèi)存的時序、總線速度、信號完整性，另一方面降低內(nèi)存子系統(tǒng)的功耗和系統(tǒng)壓力。
美光還特意展示了當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)在不同rank之間讀取時候的時序局限。由于系統(tǒng)限制，會在數(shù)據(jù)總線上出現(xiàn)一個周期的滯后，進而影響整體系統(tǒng)帶寬。美光宣稱3DS技術(shù)可以消除這些局限，特別是可以從不同rank那里接受讀取指令，從而“改進數(shù)據(jù)總線利用率和帶寬”。
在此之前，美光已經(jīng)利用IBM 32nm HKMG工藝量產(chǎn)3D TSV硅穿孔內(nèi)存芯片。
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